平板显示设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种平板显示设备及其制造方法，该平板显示设备具有增加的电容。一种平板显示设备，包括：多个像素区，每个像素区位于栅极线、数据线和公共电压线的交叉区域；薄膜晶体管(TFT)，位于所述栅极线和所述数据线彼此交叉的区域，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极；以及存储电容器，位于所述公共电压线和所述漏电极彼此交叉的区域，所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及。
技术介绍
一般而言，在平板显示设备中，用于形成薄膜晶体管的有源层延伸至存储电容器， 因此用作存储电容器的下电极。在这种情况下，由于形成有源层所用的多晶硅的突起，存储电容器的上电极和下电极之间可能会荷有静电。而且，形成有源层所用的多晶硅具有低导电率，为了保证或获得所期望的电容，因此有源层下电极的面积可能增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种，所述平板显示设备通过与栅电极位于相同水平面的第一存储电极、公共电压线从中延伸的第二存储电极和漏电极从中延伸的第三存储电极来平行布置存储电容器而具有增加的电容。根据本专利技术实施例的方面，一种平板显示设备，包括多个像素区，每个像素区位于栅极线、数据线和公共电压线的交叉区域；薄膜晶体管(TFT)，位于所述栅极线和所述数据线彼此交叉的区域，所述TFT包括栅电极、源电极和漏电极；以及存储电容器，位于所述公共电压线和所述漏电极彼此交叉的区域，所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。所述第一存储电极可以位于与所述栅电极相同的水平面，所述第二存储电极可以从所述公共电压线延伸并与所述第一存储电极部分重叠，并且所述第三存储电极可以从所述漏电极延伸并与所述第一存储电极和所述第二存储电极重叠。所述TFT可以进一步包括位于基板上的有源层；位于所述有源层上的绝缘层；以及位于所述栅电极上的多个层间调节层，其中所述栅电极位于所述绝缘层上，其中所述源电极与所述数据线整体形成，并且所述源电极通过所述多个层间调节层和所述绝缘层中的孔接触所述有源层，并且其中所述漏电极通过所述多个层间调节层和所述绝缘层中的孔接触所述有源层。所述存储电容器可以进一步包括位于基板上的绝缘层；位于所述第一存储电极上的第一层间调节层；以及位于所述第二存储电极上的第二层间调节层，其中所述第一存储电极位于所述绝缘层上，其中所述第二存储电极位于所述第一层间调节层上并从所述公共电压线延伸，并且其中所述第三存储电极位于所述第二层间调节层上，通过所述第一层间调节层和所述第二层间调节层接触所述第一存储电极，并且从所述漏电极延伸。 所述第二存储电极包括多个第二存储电极。所述设备可以进一步包括位于所述第三存储电极上的保护层；和位于所述保护层上并通过穿透所述保护层接触所述第三存储电极的像素电极。所述设备可以进一步包括第一接触孔，用以在所述第二存储电极不位于其中的区域通过所述第一层间调节层和所述第二层间调节层暴露所述第一存储电极，和第二接触孔，用以在所述第一存储电极或所述第三存储电极所处的区域通过所述保护层暴露所述第三存储电极。所述第一接触孔和所述第二接触孔可以彼此重叠。所述第一层间调节层和所述第二层间调节层可以包括选自由由氮化硅和氧化硅组成的组中的至少之一。所述第二层间调节层可以包括具有比所述第一层间调节层的介电常数高的介电常数的材料。所述第二层间调节层可包括氮化硅。所述第二存储电极可包括金属或氧化铟锡(ITO)。所述平板显示设备可为液晶显示设备。根据本专利技术另一实施例的方面，一种制造平板显示设备的方法，包括制备基板， 其中像素区被限定在所述基板上，所述像素区包括薄膜晶体管(TFT)区和存储电容器区； 在所述基板的TFT区上形成有源层；在所述基板上形成以第一方向延伸的栅极线，并且形成位于所述TFT区中的栅电极和位于所述存储电容器区中的第一存储电极；以与所述栅极线平行的方向形成公共电压线，并且形成位于所述存储电容器区中的从所述公共电压线延伸的第二存储电极；以第二方向形成数据线和源电极以与所述栅极线交叉；并且在所述 TFT区中形成漏电极，并且形成位于所述存储电容器区中的从所述漏电极延伸的第三存储电极。所述方法可进一步包括形成覆盖所述第一存储电极的第一层间调节层；形成覆盖所述第二存储电极的第二层间调节层；形成第一接触孔，用以在所述第二存储电极不位于其中的区域通过所述第一层间调节层和所述第二层间调节层暴露所述第一存储电极。所述方法可进一步包括形成保护层以覆盖所述第三存储电极；并且形成第二接触孔，用以在所述第一存储电极或所述第三存储电极所处的区域通过所述保护层暴露所述第三存储电极。所述第一接触孔和所述第二接触孔可彼此重叠。所述第一层间调节层和所述第二层间调节层可包括选自由氮化硅和氧化硅组成的组中的至少之一。所述第二层间调节层可包括具有比所述第一层间调节层的介电常数高的介电常数的材料。所述第二层间调节层可包括氮化硅。所述第二存储电极可包括金属或氧化铟锡(ITO)。所述平板显示设备可为液晶显示设备。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的以上及其它特征和方面将变得更加明显，其中图1为示意性示出根据本专利技术实施例的平板显示设备的平面图；图2为沿图1的线ΙΙ-ΙΓ截取的截面图；图3为根据本专利技术实施例的图1和图2的平板显示设备的像素的电路图；图4至图11为示出根据本专利技术实施例制造平板显示设备的方法的截面图；以及图12至图14为示出根据本专利技术实施例的平板显示设备的截面图。具体实施例方式尽管示例性实施例能够有各种修改和可替代的形式，但其实施例通过示例的方式在附图中示出，并且在这里将进行详细描述。然而，应当理解，决没有将示例性实施例限制为公开的具体形式的意图，而是相反，示例性实施例将涵盖落入本专利技术范围内的全部修改、 等同物和可替代物。在说明书中，可以省略对公知技术和结构的详细描述，以便不阻碍对本专利技术的理解。应当理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等等来描述各种元件，但这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。这里使用的术语仅仅是为了描述具体实施例的目的，而不旨在对示例性实施例进行限制。如这里使用的那样，除非上下文另有清楚地指示，否则单数形式也旨在包括复数形式。应当进一步理解，在这里所使用的术语“包括”及其变体("comprises”、"comprising”、 “includes”和/或“including”)规定所列出的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或增加。下文中，将参照附图更充分地描述本专利技术的实施例。图1为示意性示出根据本专利技术实施例的平板显示设备的平面图。根据本专利技术实施例的平板显示设备可以是有机发光显示装置或液晶显示装置。下文中，将假设平板显示设备是液晶显示装置。参照图1，平板显示设备包括栅极线110、数据线140和公共电压线120，其中栅极线110、数据线140和公共电压线120彼此交叉并限定像素区。像素区中的每个可以包括薄膜晶体管(TFT)区和存储电容器(STG)区。在一个实施例中，TFT形成(或位于)在栅极线110和数据线140彼此交叉处，并且包括栅电极111、源电极141和漏电极131。公共电压线120与栅极线110分隔开并与栅极线110平行。STG位于(或形成)在公共电压线120和延伸的漏电极131彼此交叉处，并且包括第一存储电极112、第二存储电极121和第三存储电极132。TFT包括栅电极111、源电极141和漏电极131，其中栅电极111以第二方向从以第一方向布置的栅极线110处延伸，源电极141是以第二方向布置的数据线140的一部分，并且漏电极131与源本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种平板显示设备，包括：多个像素区，每个像素区位于栅极线、数据线和公共电压线的交叉区域；薄膜晶体管，位于所述栅极线和所述数据线彼此交叉的区域，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；以及存储电容器，位于所述公共电压线和所述漏电极彼此交叉的区域，所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹志锋，太胜奎，金德会，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR