COMS器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置的估算方法。将CMOS器件的沟道平均分为两部分，靠近源端的部分为区域I，靠近漏端的部分为区域II。辐照后与辐照前相比，若栅源电容减小，而栅漏电容增大，则辐照位移损伤区在区域I，若栅源电容增大，而栅漏电容减小，则辐照位移损伤区在区域II。本发明专利技术针对CMOS器件，通过辐照前后本征电容的变化去表征辐照产生位移损伤区在沟道中的相对位置，方法简单，容易操作，为确定辐照位移损伤区在CMOS器件位置提供了一种思路，对单粒子研究和单粒子建模以及集成电路加固都有重大意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种辐照位移损伤位置的估算方法，具体涉及一种CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置的估算方法。
技术介绍
随着集成电路技术在航天领域中的广泛应用，宇宙和外层空间中存在着的大量宇宙射线对集成电路的辐照效应会导致电子元器件以及电路特性退化。辐照效应已成为空间元器件失效的主要原因。研究在空间环境和核爆炸辐照环境下工作的深亚微米集成电路的辐照效应对抗辐照集成电路的发展有重大意义。高能粒子与半导体材料相互作用，会在半导体材料中产生位移损伤，对于很高的离子通量，一些分离的级联损伤重叠会产生一个重的损伤区，进而严重的影响器件特性。随着半导体产业的不断发展，高能离子子对半导体器件特性的影响随着半导体特征尺寸的减小而进一步恶化。建立单个半导体器件的辐照模型即可仿真出重离子辐照对器件性能造成的损伤，将单个器件的辐照模型嵌入到电路仿真中，即可预测集成电路的辐照响应。因此建立半导体器件的辐照模型，大大降低了实验成本，缩短了实验周期，对宇宙空间重粒子辐照效应及抗辐照加固器件和抗辐照加固电路的研究显得尤为重要。对于现在目前广泛应用的 CMOS器件，随着器件尺寸的不断缩小，栅氧化层也不断减薄，辐照在栅氧化层中电离效应对集成电路的影响在减弱，当栅氧化层厚度小于IOnm时，栅氧化层的电离辐照效应对器件造成的影响可以忽略。但是CMOS器件的工作机制主要是依赖于表面反型层形成的导电通道， 重离子子在沟道区造成的损伤会严重影响到CMOS器件的静态和瞬态特性以及会带来严重的可靠性问题等。目前，由于重离子入射位置的不确定性，确定重离子辐照引入位移损伤区在沟道区的相对位置始终是一个国际性难题。因此研究位移损伤区在沟道相对位置的确定，对建立CMOS器件辐照模型和研究抗辐照加固CMOS器件及探究辐照后CMOS器件的可靠性问题都有重要价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置的估算方法。本专利技术利用测量CMOS器件的高频特性(即散射参数)，提取出CMOS器件的本征电容，通过辐照前后CMOS器件本征电容的变化来表征沟道中电势的变化，进而初步确定重粒子辐照产生位移损伤区在沟道中的相对位置。将CMOS器件的沟道平均分为两部分，靠近源端的部分为区域I，靠近漏端的部分为区域II。辐照后与辐照前相比，若栅源电容减小，而栅漏电容增大，则辐照位移损伤区在区域I，若栅源电容增大，而栅漏电容减小，则辐照位移损伤区在区域II。根据本专利技术的估算方法来判断辐照位移损伤区在沟道相对位置的具体步骤如下1)测量辐照前直流特性，得到COMS器件的转移特性曲线，2)采用恒定电流法，在1)中已得的转移特性曲线中确定阈值电压，3)设定测量S参数的偏置电压为NMOS器件的栅源电压Vgs与阈值电压Vth的差值满足Vgs彡Vth, PMOS器件的栅源电压Vgs与阈值电压Vth的差值满足Vgs ^ Vth，通过网络分析仪为CMOS器件提供交流信号，半导体参数仪为CMOS器件提供直流偏置，测量辐照前散射参数，即S参数，4)提取辐照前电容将去嵌后的S参数转化为Y参数，栅源电容Cgs和栅漏电容 Cgd满足下式Cgg = Im (Y11)/ωCgd = I Im(Y12)/ωCgs = Cgg-Cgd其中，ω = 2 π f，为网络分析仪1的交流信号的扫描频率，5)测量辐照后直流参数及提取辐照后阈值电压，测量及提取方法同步骤1)与步骤2)，6)测量辐照后S参数及提取辐照后电容参数，测量及提取方法同步骤3和4)，7)若提取到的辐照后的栅源电容减小而栅漏电容增大，则判断出位移损伤区在区域I，若辐照后的栅源电容增大而栅漏电容减小，则判断出位移损伤区在区域II。本专利技术提出的判断辐照产生位移损伤区在沟道中的相对位置的方法不需要将辐照后的实验样品进行化学腐蚀并通过电子扫描显微镜(SEM)进行扫描成像监测损伤区，也不需要通过归类CMOS器件辐照前后直流特性退化来推测位移损伤区的位置。本专利技术针对 CMOS器件，通过辐照前后本征电容的变化去表征辐照产生位移损伤区在沟道中的相对位置，方法简单，容易操作，为确定辐照位移损伤区在CMOS器件位置提供了一种思路，对单粒子研究和单粒子建模以及集成电路加固都有重大意义。附图说明图1为CMOS器件偏置在线性区时沟道分布的示意图；图2为CMOS器件偏置在饱和区时沟道分布的示意图；图3(a)为CMOS器件的沟道的两个区域的划分的示意图，图3(b)为其等效电阻的示意图；图4 (a)为位移损伤区在CMOS器件靠近源端处的示意图；图4 (b)为CMOS器件偏置在线性区时辐照前后电容的变化的示意图；图4(c)为CMOS器件偏置在饱和区时辐照前后的电容的变化的示意图；图5 (a)为位移损伤区在CMOS器件靠近漏端处的示意图；图5 (b)为CMOS器件偏置在线性区时辐照前后电容的变化的示意图；图5(c)为CMOS器件偏置在饱和区时辐照前后的电容的变化的示意图；图6为测量S参数的示意图；图7 (a)为位移损伤区在CMOS器件靠近源端处的直流特性退化的示意图；图7 (b) 为提取出的辐照前后的栅源电容和栅漏电容的变化的示意图；图8 (a)为位移损伤区在CMOS器件靠近漏端处的直流特性退化的示意图，图8 (b)为提取出的辐照前后的栅源电容和栅漏电容的变化的示意图。 具体实施例方式下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。CMOS器件本征电容即为栅至沟道的电容，它的大小以及它在栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd和栅体电容Cgb这三部分的划分取决于工作区域和端口电压。当CMOS器件处于截止区时，栅下没有任何沟道存在，这时栅源电容和栅漏电容为0 ；当器件处于强反型区时， 栅与体之间被沟道所屏蔽，栅体电容可忽略。栅源电容或栅漏电容可以理解为源端或漏端电势相对于栅端电势变化引起的栅电极电荷变化，栅源电容和栅漏电容的大小对沟道中电势的变化十分敏感，因此本专利技术中采用栅源电容和栅漏电容的辐照前后的变化来大致确定辐照位移损伤区在沟道的相对位置。图1和图2所示的CMOS器件分别处于线性区和饱和区，栅体电容近似为0。如图 3所示，将沟道平均分为两部分，区域I和区域II，靠近源端的部分为区域I，等效电阻为R1 ； 靠近漏端的部分为区域II，等效电阻为! 。栅源电容和栅漏电容如方程(1)和( 所示， 是沟道电势分布的函数。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种辐照位移损伤位置的估算方法，用于确定ＣＭＯＳ器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置，其特征在于，将所述ＣＭＯＳ器件的沟道平均分为两部分，靠近源端的部分为区域Ｉ，靠近漏端的部分为区域ＩＩ，比较辐照前后所述ＣＭＯＳ器件的栅源电容和栅漏电容大小的变化，若辐照后与辐照前相比，栅源电容减小，而栅漏电容增大，则辐照位移损伤区在区域Ｉ，若栅源电容增大，而栅漏电容减小，则辐照位移损伤区在区域ＩＩ。

【技术特征摘要】
1.一种辐照位移损伤位置的估算方法，用于确定CMOS器件辐照位移损伤区在沟道的相对位置，其特征在于，将所述CMOS器件的沟道平均分为两部分，靠近源端的部分为区域 I，靠近漏端的部分为区域II，比较辐照前后所述CMOS器件的栅源电容和栅漏电容大小的变化，若辐照后与辐照前相比，栅源电容减小，而栅漏电容增大，则辐照位移损伤区在区域 I，若栅源电容增大，而栅漏电容减小，则辐照位移损伤区在区域II。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，具体步骤如下1)测量辐照前的散射参数，即S参数；2)将去嵌后的S参数转化为Y参数，从下式得到栅源电容Cgs和栅漏电容CgdCgg = Im (Y11)/ωCgd = I Im(Y12)/ωCgs = Cgg-Cgd其中，ω =2Jif，为网络分析仪的交流信号的扫描频率；3)测量辐照后的S参数；4)提取辐照后的栅源...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄如，谭斐，安霞，张兴，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11