发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件和发光器件封装。该发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在发光结构层上的镓阻挡层；以及在镓阻挡层上的金属电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被关注作为发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体由具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。这样的LED使用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外线、紫外线或者可见光的光。最近，随着LED的光效率增加，在诸如显示装置和照明装置的各种领域中使用 LED。
技术实现思路
实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。实施例还提供具有改进的可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。在一个实施例中，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在发光结构层上的镓阻挡层；以及在镓阻挡层上的金属电极层。在另一实施例中，发光器件封装包括主体；第一和第二电极层，该第一和第二电极层被布置在主体上，以及发光器件，所述发光器件被布置在所述主体上并且电连接到第一和第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在所述发光结构层上的镓阻挡层；以及在所述镓阻挡层上的金属电极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔光基，李尚烈，宋俊午，文智炯，郑势演，成泰连，全峻佑，朴圣汉，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR