利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法，在LED芯片顶层的n型层或p型层中加入过渡金属，使顶层的n型层或p型层具有磁性，为LED芯片的发光层提供自旋极化的载流子注入，再将其输运到发光层与衬底基片一侧的p型层或n型层中提供的未自旋极化的载流子辐射复合，使LED芯片的发光层发射出圆偏振光。本发明专利技术采用在LED芯片pn结半导体层材料中加入过渡金属引入磁性的方法，使pn结半导体层能为发光层提供极化的自旋载流子注入，以实现LED芯片发出圆偏振光的目的。并且，还可以通过调整所述LED芯片的发光层的结构及材料组分，以获得不同颜色的圆偏振光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发射圆偏振光的LED芯片及其制备方法，尤其是一种发射圆偏振光的GaN基LED芯片及其制备方法。
技术介绍
光电子技术是21世纪的尖端技术，LED (light emitting diode)是光电子产业中最重要的光电子材料和组件之一。LED是一种电致发光器件，它通过正向偏置的PN结中电子与空穴的辐射复合发光。在传统LED器件中，电子只被看着电荷的载体，自旋这一概念常常被人们忽略。圆偏振光最为接近自然光，适合于人眼长期观看。因此，现实应用中常用偏振片来产生偏振光。但是，使用偏振片来产生偏振光将导致光的大量损失。例如，作为液晶显示器的LED背光源，当其光通过下层偏振片时，光的浪费已达50%。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法，该LED芯片能够直接发射出圆偏振光，可以克服利用偏振片产生偏振光时导致大量光被损失掉的不足。本专利技术是这样实现的利用LED芯片发射圆偏振光的方法，在LED芯片顶层的η型层或P型层中加入过渡金属，使顶层的η型层或P型层具有磁性，为LED芯片的发光层提供自旋极化的载流子注入，再将其输运到发光层与本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种利用ＬＥＤ芯片发射圆偏振光的方法，其特征在于：在ＬＥＤ芯片顶层的ｎ型层或ｐ型层中加入过渡金属，使顶层的ｎ型层或ｐ型层具有磁性，为ＬＥＤ芯片的发光层提供自旋极化的载流子注入，再将其输运到发光层与衬底基片一侧的ｐ型层或ｎ型层中提供的未自旋极化的载流子辐射复合，使ＬＥＤ芯片的发光层发出圆偏振光；或者在发光层两侧的ｎ型层及ｐ型层中均加入过渡金属，使ｎ型层及ｐ型层均具有磁性，ｎ型层及ｐ型层同时注入自旋载流子，输运到发光层辐射复合，使ＬＥＤ芯片的发光层发出圆偏振光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓朝勇，张荣芬，杨利忠，李绪诚，许铖，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：52