超级结器件的终端保护结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结器件的终端保护结构，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于电流流动区的外周，由内往外依次排列着至少一P型环、多个沟槽环、以及一沟道截止环。在各所述沟槽环中填充有P型硅，形成P型薄层和N型薄层交替式结构；所述P型环形成于和最外侧电流流动区沟槽相邻的N型硅外延层上部，覆盖至少一个所述沟槽环；沟道截止环形成于最外侧沟槽环外侧的N型硅外延层上部；一终端介质层覆盖所述P型环以及各所述沟槽环；多个场板，形成于终端介质层上部。本发明专利技术还公开了超级结器件的终端保护结构的制造方法。本发明专利技术能够在不为终端保护结构增加工艺的条件下提高超级结器件的耐压特性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种超级结器件的终端保护结构，本专利技术还涉及该超级结器件的终端保护结构的制造方法。
技术介绍
超级结MOSFET采用新的耐压层结构，利用一系列的交替排列的P型半导体薄层和 N型半导体薄层来在截止状态下在较低电压下就将所述P型半导体薄层和N型半导体薄层耗尽，实现电荷相互补偿，从而使P型半导体薄层和N型半导体薄层在高掺杂浓度下能实现高的击穿电压，从而同时获得低导通电阻和高击穿电压，打破传统功率MOSFET理论极限。 同已有的DMOS器件一样，一个超级结MOSFET是由很多的单元重复排列形成的；由于各单元的一致性，单元之间通常不存在电压击穿的问题，但最外圈的单元与衬底之间，存在着电压差，易于发生击穿；因此器件的终端保护结构十分重要。对已有的器件如高压VDM0S，已有扩散保护环技术，场板技术(包括浮空场板技术，电阻场板技术)，等位环技术，场限环技术，结终端扩展技术等；但对于超级结器件，由于器件单元的耐压方式与传统的VDMOS的耐压方式有很大的不同，相应的高可靠性的终端保护结构需要另行设计。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种超本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种超级结器件的终端保护结构，在一Ｎ＋硅基片上形成有一Ｎ型外延层，所述超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个并行排列的电流流动区沟槽；所述电流流动区沟槽形成于所述Ｎ型外延层中，在所述电流流动区沟槽中填充有Ｐ型硅，该Ｐ型硅与Ｎ型外延薄层形成交替的Ｐ型区域和Ｎ型区域，一Ｐ型背栅形成于各所述电流流动区沟槽的上部或所述Ｐ型背栅形成于各所述电流流动区沟槽的上部并延伸到各所述电流流动区沟槽的上部两侧的所述Ｎ型外延薄层中，一源区形成于各所述Ｐ型背栅中，在所述电流流动区的外延层上部形成有栅氧、栅极以及源极，在所述Ｎ＋硅基片的背面形成有漏极；其特征在于：在俯视平面上，所述超级结器件的终端保...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，王飞，刘艳平，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31