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本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于电流流动区的外周，由内往外依次排列着至少一P型环、多个沟槽环、以及一沟道截止环。在各所述沟槽环中填充有P型硅，形成P型薄层和N型薄层交替式结构；所...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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