一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括一阴极层、一缓冲层、一材料层、一有机发光层以及一阳极层。阴极层位于基板上。缓冲层位于阴极层上且与阴极层接触，其中阴极层位于基板与缓冲层之间。材料层位于缓冲层上且与缓冲层接触，其中缓冲层位于阴极层与材料层之间，缓冲层的最低未占有分子轨域与材料层的最高占据分子轨域之间的差距小于2eV。有机发光层位于材料层上。阳极层位于有机发光层上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种有机发光装置，且特别是有关于一种反向有机发光装置 (inverted organic light emitting device, inverted OLED)0
技术介绍
随着科技的进步，平面显示器是近年来最受瞩目的显示技术。其中，有机电致发光显示器因其自发光、无视角依存、省电、制程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器的主流。有机发光二极管主要是由一对电极以及有机发光层所构成。当电流通过透明阳极与金属阴极间，使电子和空穴在有机发光层内结合而产生激子(exciton)时，有机发光层依照材料的特性而产生不同颜色的放光机制，进而达到发光显示的效果。一般来说，反向有机发光二极管(inverted OLED)具有依序配置于基底上的阴极层、电子传输层、有机发光层及阳极层，其适于与η型晶体管的漏极端连接，以在驱动时有较稳定的电性表现。然而，在反向有机发光二极管中，由于电子传输层是制作于下电极上， 而下电极通常由相对稳定导体材料制成且具有较高的功函数，因此阴极层对于电子注入而言具有较高的能障，导致电极界面有崩溃或不稳定的现象。此外，由于电子的注入受限于较高能障，因此电子的注入数量与空穴的注入数量不均衡，导致无法有效结合放电。如此一来，有机发光二极管的发光效率不佳且寿命衰减。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机发光装置，其具有较佳的发光效率与稳定性。本专利技术提出一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括一阴极层、一缓冲层、 一材料层、一有机发光层以及一阳极层。阴极层位于基板上。缓冲层位于阴极层上且与阴极层接触，其中阴极层位于基板与缓冲层之间。材料层位于缓冲层上且与缓冲层接触，其中缓冲层位于阴极层与材料层之间，缓冲层的最低未占有分子轨域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUM0)与材料层的最高占据分子轨域(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)之间的差距小于加乂。有机发光层位于材料层上。阳极层位于有机发光层上。基于上述，本专利技术的有机发光装置包括缓冲层，缓冲层配置于阴极层与材料层之间，且缓冲层的LUMO与材料层的Η0Μ0之间的差距小于2礼如此一来，能降低阴极层与材料层之间的电子注入能障，以大幅提升有机发光装置的发光效率与操作稳定性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的有机发光装置的剖面示意图2是根据本专利技术第二实施例的有机发光装置的剖面示意图；图3为实验例与比较例的有机发光装置在初始亮度为4000nits下以直流定电流源驱动的条件下的亮度与时间的关系图；其中，主要元件符号说明权利要求1.一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括一阴极层，位于该基板上；一缓冲层，位于该阴极层上且与该阴极层接触，其中该阴极层位于该基板与该缓冲层之间；一材料层，位于该缓冲层上且与该缓冲层接触，其中该缓冲层位于该阴极层与该材料层之间，该缓冲层的最低未占有分子轨域LUMO与该材料层的最高占据分子轨域HOMO之间的差距小于；一有机发光层，位于该材料层上；以及一阳极层，位于该有机发光层上。2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该材料层为一电子传输层。3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该材料层为一电子注入层。4.如权利要求3所述的有机发光装置，更包括一电子传输层，配置于该材料层与该有机发光层之间。5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该缓冲层的材料包括一有机材料。6.如权利要求5所述的有机发光装置，其中该有机材料的LUMO< -4. OeV07.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该材料层的HOMO> -8. OeV08.如权利要求7所述的有机发光装置，其中该缓冲层的材料包括HAT-CN，其具有以下结构9.如权利要求7所述的有机发光装置，其中该材料层包括三(8-羟基喹啉)铝络合物、双O-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚铝(111)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-啡啉、三氧化铯钒的4，7_ 二苯基-1，10-邻二氮杂菲、4，4' -二(9-咔唑基)联苯或3-苯基-4-(1'-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑。10.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该材料层的HOMO> -5. 7eV。11.如权利要求10所述的有机发光装置，其中该缓冲层的材料包括1，4，5，8-萘四甲酸二酐。12.如权利要求10所述的有机发光装置，其中该材料层包括三(8-羟基喹啉)铝络合物或双甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚铝(III)。13.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该材料层的HOMO> -7. 3eV014.如权利要求13所述的有机发光装置，其中该缓冲层的材料包括四氟-四氰基对醌二甲烷。15.如权利要求13所述的有机发光装置，其中该材料层包括三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚铝(III)、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-啡啉、 三氧化铯钒的4，7_ 二苯基-1，10-邻二氮杂菲或4，4' -二(9-咔唑基)联苯。16.如权利要求1所述的有机发光装置，更包括一空穴注入层，位于该阳极层与该有机发光层之间。17.如权利要求1所述的有机发光装置，更包括一空穴传输层，位于该阳极层与该有机发光层之间。18.如权利要求1所述的有机发光装置，其中该阴极层的材料包括铟锡氧化物、氧化锌、银、铝、钼、铜或钛。全文摘要一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括一阴极层、一缓冲层、一材料层、一有机发光层以及一阳极层。阴极层位于基板上。缓冲层位于阴极层上且与阴极层接触，其中阴极层位于基板与缓冲层之间。材料层位于缓冲层上且与缓冲层接触，其中缓冲层位于阴极层与材料层之间，缓冲层的最低未占有分子轨域与材料层的最高占据分子轨域之间的差距小于2eV。有机发光层位于材料层上。阳极层位于有机发光层上。文档编号H01L51/50GK102244198SQ20111018310公开日2011年11月16日 申请日期2011年6月27日 优先权日2011年5月24日专利技术者卓庭毅, 陈介伟 申请人:友达光电股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括：一阴极层，位于该基板上；一缓冲层，位于该阴极层上且与该阴极层接触，其中该阴极层位于该基板与该缓冲层之间；一材料层，位于该缓冲层上且与该缓冲层接触，其中该缓冲层位于该阴极层与该材料层之间，该缓冲层的最低未占有分子轨域ＬＵＭＯ与该材料层的最高占据分子轨域ＨＯＭＯ之间的差距小于２ｅＶ；一有机发光层，位于该材料层上；以及一阳极层，位于该有机发光层上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：卓庭毅，陈介伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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