有机发光二极管装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:6722424 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法。所述有机发光二极管装置包括:基底主体;透明电极,形成在基底主体上;有机发射层,形成在透明电极上;盖电极,形成在有机发射层上并由金属制成;密封剂,形成在基底主体上以与盖电极的边缘叠置并覆盖有机发射层的侧表面。

【技术实现步骤摘要】

描述的技术通常涉及一种装置。更具体地讲,描述的技术通常涉及使用有机发光 元件的。
技术介绍
有机发光二极管装置是使用从有机发光元件发射的光的显示装置或发光设备。有 机发光二极管使用当有机发射层中的电子-空穴组合产生的激子从激发态降落至基态时 产生的能量来发射光。
技术实现思路
因此,本专利技术的一方面提供了一种经改善的有机发光二极管装置。本专利技术的另一方面提供了一种防止湿气或氧气渗透到有机发射层中的有机发光二极管装置。本专利技术的又一方面提供了 一种用于制造上述有机发光二极管装置的制造方法。根据示例性实施例,有机发光二极管装置可被构造为具有基底主体;透明电极, 形成在基底主体上;有机发射层,形成在透明电极上;盖电极,形成在有机发射层上并由金 属制成;密封剂,形成在基底主体上以与盖电极的边缘叠置并覆盖有机发射层的侧表面。所述盖电极可包括形成在所述盖电极的与所述盖电极的面对有机发射层的第二 表面相对的第一表面上的氧化物膜。盖电极可具有在大约150nm至大约5000nm范围内的厚度。盖电极可由从铝(Al)、银(Ag)、金(Au)和镁(Mg)中选择的至少一种金属形成。透明电极可由从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)和氧化铟(In2O3) 中选择的至少一种材料形成。 密封剂可由包括无机颗粒的玻璃料制成。无机颗粒可由从氧化硅(SiO2)、氧化钡(BaO)、氧化铋(Bi2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧 化钛(TiO2)、氧化钽(Tii2O5)和氧化锌(ZnO)中选择的至少一种材料形成。盖电极可包括多个金属层。盖电极的所述多个金属层可由不同的金属制成。氧化物膜可形成在两个相邻的金属层之间的界面上。此外,根据示例性实施例,有机发光二极管装置的制造方法可包括以下步骤设置 基底主体;在基底主体上形成透明电极;在透明电极上形成有机发射层;形成包括氧化物 膜的盖电极,所述氧化物膜通过在有机发射层上形成金属层并使所述金属层的与所述金属 层的面对有机发射层的第二表面相对的第一表面氧化来形成;在基底主体上形成覆盖有机 发射层的侧表面的密封剂。盖电极可具有大约150nm至大约5000nm的厚度。盖电极可由从铝(Al)、银(Ag)、金(Au)和镁(Mg)中选择的至少一种金属形成。透明电极可由从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)和氧化铟(In2O3) 中选择的至少一种材料形成。盖电极可通过溅射形成。盖电极可通过热沉积形成。有机发射层可通过热沉积形成。所述形成密封剂的步骤可包括将包括玻璃料、无机颗粒、有机粘合剂和溶剂的密 封混合物涂覆在基底主体上以覆盖盖电极的边缘;通过热干燥密封混合物以去除溶剂和有 机粘合剂的一部分;将激光束第一次照射到干燥的密封混合物以去除溶剂和有机粘合剂的 剩余部分;将激光束第二次照射以硬化不具有有机粘合剂的密封混合物,从而形成密封剂。无机颗粒可由从氧化硅(SiO2)、氧化钡(BaO)、氧化铋(Bi2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧 化钛(TiO2)、氧化钽(Tii2O5)和氧化锌(ZnO)中选择的至少一种材料形成。盖电极可包括多个金属层。盖电极的所述多个金属层可由不同的金属制成。氧化物膜可形成在两个相邻的金属层之间的界面上。根据示例性实施例,有机发光二极管装置具有简单结构,并且可抑制湿气和氧气 向有机发射层中的渗透。此外,可制造上述有机发光二极管装置。 附图说明通过下面的结合附图考虑的详细描述,本专利技术的更加完整的理解及其许多附带的 优点将容易清楚并且变得更好理解,附图中相同的参考符号表示相同或相似的组件,附图 中图1是构成根据本专利技术原理的第一示例性实施例的有机发光二极管装置的剖视 图;图2和图3是顺序示出根据作为根据本专利技术原理的实施例的制造方法在制造过程 中的图1的有机发光二极管装置的剖视图;图4是构成根据本专利技术原理的第二示例性实施例的有机发光二极管装置的剖视 图;图5是构成根据本专利技术原理的第三示例性实施例的有机发光二极管装置的剖视 图;图6是示出作为构成第一示例性实施例的有机发光二极管装置和构成对比示例 的有机发光二极管装置的使用时间的函数的亮度比的实验结果的曲线图;图7是示出用于制造作为根据本专利技术原理的示例性实施例的有机发光二极管装 置的工艺的流程图;图8是示出用于在作为根据本专利技术原理的示例性实施例的有机发光二极管装置 上形成密封剂的工艺的流程图。附图标号101 有机发光二极管装置10:透明电极20 有机发射层30 盖电极111 基底主体302 氧化物膜350 密封剂具体实施例方式当有机发光二极管装置发射光时,周围环境中的湿气或氧气会不期望地渗透到形 成在有机发光二极管装置内的有机发射层。因此,有机发光二极管装置的寿命和质量会不 期望地劣化。为了增加有机发光二极管装置的寿命和质量,必须抑制湿气或氧气向有机发射层 中的渗透。因此,有机发光二极管装置需要附加的密封结构,例如,玻璃罐或金属罐。在玻 璃或金属中形成槽的密封结构由具有复杂的制造工艺的罐形状制成,因此,有机发光二极 管装置的总体生产率会劣化。在下文中,将参照附图详细地描述示例性实施例,从而本专利技术所属领域技术人员 能够容易地实施。本领域技术人员应该意识到,可以用不脱离本专利技术的精神或范围的各种 不同的方式来修改描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。贯穿说明书,相同的标 号表示相同的元件。在第一示例性实施例之后的示例性实施例中,将描述与第一示例性实 施例不同的构造。附图中示出的各个构造的尺寸和厚度具有用于更好地理解并易于描述的任意值, 在本专利技术中不对它们进行限制。在附图中,为了清楚,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中,为了更好地理 解并易于描述,夸大了层和区域的厚度。应该理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被 称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上或者也可存在中间元件。现在,将参照图1描述构成根据本专利技术原理的第一示例性实施例的有机发光二极 管装置101。这里,有机发光二极管装置101是指有机发光二极管(OLED)显示器或有机发 光装置。如图1中所示,构成第一示例性实施例的有机发光二极管装置101包括基底主体 111、透明电极10、、有机发射层20、盖电极30和密封剂350。这里,透明电极10成为用于将 空穴注入有机发射层20的阳极。此外,盖电极30成为用于注入电子的阴极。基底主体111可形成为由玻璃、石英、陶瓷等制得的透明绝缘基底,或可以形成为 由塑料等制成的透明柔性基底。透明电极10形成在基底主体111上。此外,透明电极10可由透明导电层形成。 透明导电层由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(SiO)和氧化铟(In2O3)中的至 少一种的材料制成。透明导电层具有相对高的功函数。因此,由透明导电层形成的透明电 极10可顺利地执行空穴注入。此外,为了得到由透明导电层制得的透明电极10的相对高 的电阻率,有机发光二极管装置101还可包括由具有相对低的电阻率的金属形成的辅助电 极(未示出)。此外,透明电极10还可包括半透明层(未示出)以通过使用微腔效应改善光的使 用效率。有机发射层20形成在透明电极10上。有机发射层20可形成为包括发射层、空穴注入层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管装置,包括:基底主体;透明电极,形成在基底主体上;有机发射层,形成在透明电极上;盖电极,形成在有机发射层上并由金属制成;密封剂,形成在基底主体上以与盖电极的边缘叠置并覆盖有机发射层的侧表面。

【技术特征摘要】
2010.02.09 KR 10-2010-00120731.一种有机发光二极管装置,包括基底主体;透明电极,形成在基底主体上;有机发射层,形成在透明电极上;盖电极,形成在有机发射层上并由金属制成;密封剂,形成在基底主体上以与盖电极的边缘叠置并覆盖有机发射层的侧表面。2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其中,所述盖电极包括形成在所述盖电 极的与所述盖电极的面对有机发射层的第二表面相对的第一表面上的氧化物膜。3.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其中,盖电极具有在150nm至5000nm范 围内的厚度。4.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其中,盖电极由从铝、银、金和镁中选择 的至少一种金属形成。5.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其中,透明电极由从氧化铟锡、氧化铟 锌、氧化锌和氧化铟中选择的至少一种材料形成。6.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其中,密封剂由包括无机颗粒的玻璃料 制成。7.如权利要求6所述的有机发光二极管装置,其中,无机颗粒由从氧化硅、氧化钡、氧 化铋、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化锌中选择的至少一种材料形成。8.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其中,盖电极包括多个金属层。9.如权利要求8所述的有机发光二极管装置,其中,盖电极的所述多个金属层由不同 的金属制成。10.如权利要求8所述的有机发光二极管装置,其中,氧化物膜形成在两个相邻的金属 层之间的界面上。11.一种用于制造有机发光二极管装置的方法,所述方法包括以下步骤设置基底主体;在基底主体上形成透明电极;在透明电极上形成有机发射层;形成包括氧化物膜的盖电极,所述氧化物膜通过在有机发射层上形成金属层并使所述 金属层的与所述金属层的面对有机发射层的第二表面相对的第一表...

【专利技术属性】
技术研发人员:南基贤徐祥准安成国
申请(专利权)人:三星移动显示器株式会社
类型:发明
国别省市:KR

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