本发明专利技术公开了一种发光装置，其包含第一基板、保护层、第二基板、缓冲部以及密封部。第一基板上具有一发光元件。保护层覆盖发光元件，且保护层具有第一热膨胀系数。第二基板位于保护层的上方。缓冲层位于第一基板与第二基板之间且围绕保护层，其中缓冲层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。密封部环绕缓冲部，并密封第一基板与第二基板之间的空间，其中密封部具有小于第二热膨胀系数的第三热膨胀系数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种发光装置的封装结构。
技术介绍
近年来，发光装置的研究发展十分蓬勃。尤其以广泛应用在照明灯源和显示装置的有机发光二极管(OLED)特别受到关注。有机发光二极管的优点为高亮度，高对比度以及广视角。有机发光二极管是发光二极管(LED)的一种，其电致发光层为有机化合物层，当电流穿过此有机化合物层时能发射出光。有机发光二极管的结构中，有机发光层形成于两个电极之间。OLED装置最常出现的问题为有机层和电极的劣化。有机层和电极易与氧气和湿气发生反应，因而降低OLED装置的性能。因此，电极和有机层，最佳的情况是能完全密封在 OLED装置内，防止氧气和水分的渗入，则OLED装置的有效寿命可显著提高。但是，发展一个完全密封的封装工艺是相当困难的。因此，如何发展一个稳定有效的OLED封装结构，增进元件的可靠度，是OLED产业的重要课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种发光装置，增进元件的可靠度。本专利技术提供一种发光装置，包含第一基板、保护层、第二基板、缓冲部与密封部。第一基板上具有一发光元件，保护层覆盖发光元件，且保护层具有第一热膨胀系数。第二基板位于保护层的上方。缓冲层位于第一基板与第二基板之间且围绕保护层，其中缓冲层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。密封部环绕着缓冲部，并密封第一基板与第二基板之间的空间，其中密封部具有小于第二热膨胀系数的第三热膨胀系数。依照本专利技术的一实施例，上述第一热膨胀系数的范围介于70X10-6/K至 300X10-6/K之间；第二热膨胀系数的范围介于1X10-6/K至300X10-6/K之间；第三热膨胀系数的范围介于1 X 10-6/K至10 X 10-6/K之间。其中，该缓冲部直接接触该密封部与该保护层。其中，该缓冲部包含一高分子树脂；以及多个无机氧化物颗粒分散于该高分子树脂中；其中该无机氧化物在该缓冲部中的重量百分浓度为约20%至约80%。其中，该无机氧化物选自由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化铁、氧化锑、氧化磷、氧化铝、氧化硼、氧化钨、氧化镁、氧化铋、氧化钒、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化碲、氧化铅、氧化锡、氧化钌、氧化铷、氧化铑以及氧化铜所组成的群组。其中，该些无机氧化物颗粒的粒径介于约IOnm至约500nm之间。其中，该高分子树脂的材料选自由压克力树脂、环氧树脂以及上述组合所组成的群组。其中，该无机氧化物颗粒的浓度分布随着该缓冲部与该保护层间的距离增加而递+曰O其中，该无机氧化物颗粒的浓度在该缓冲部邻近该密封部的一端点具有最大值。其中，该发光元件为一有机发光元件、一高分子发光元件或一磷光体层元件。其中，该保护层的材料选自由压克力树脂、环氧树脂及上述组合所组成的群组。其中，该密封部包含至少一材料，选自由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化铁、氧化锑、氧化磷、氧化铝、氧化硼、氧化钨、氧化镁、氧化铋、氧化钒、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化碲、氧化铅、氧化锡、氧化钌、氧化铷、氧化铑以及氧化铜所组成的群组。其中，该第二热膨胀系数随着该缓冲部与该保护层间的距离增加而递减。其中，该第二热膨胀系数在该缓冲部邻近该保护层的一端点具有最大值。其中，该密封部的一宽度为约500 μ m至约1000 μ m。其中，该密封部的一厚度为约8μπι至约30 μ m。其中，该缓冲部的一宽度为约100 μ m至约500 μ m。其中，该缓冲部的一厚度为约8μπι至约30 μ m。本专利技术在保护膜与密封部之间，通过导入一热膨胀性质介于保护膜与密封部之间的一缓冲部，可以解决上述保护层裂缝产生或剥落的问题，而提升封装的可靠度。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1绘示依照本专利技术一实施例的一种发光装置的俯视示意图。图2绘示图1中的2-2’剖线的剖面示意图。图3绘示依照本专利技术另一实施例的发光装置的剖面示意图。图4绘示依照本专利技术又一实施例的发光装置的剖面示意图。其中，附图标记100:发光装置110:第一基板112:发光元件120 保护层130 第二基板140 缓冲部141 第一副缓冲部142 第二副缓冲部143 第三副缓冲部dl、d2:宽度t 厚度CTE 热膨胀系数具体实施例方式依据上述，本专利技术提供一种发光装置的封装结构。此封装结构具有较佳的阻水气与阻氧气渗入的特性，可增进发光元件的可靠度。在下面的叙述中，将会介绍上述发光装置的封装结构的例示结构与其例示的制造方法。为了容易了解所述实施例之故，下面将会提供一些技术细节。当然，并不是所有的实施例都需要这些技术细节。同时，一些广为人知的结构或元件，仅会以示意的方式在图式中绘出，以适当地简化图式内容。图1绘示本专利技术一实施例的发光装置的俯视示意图。图2绘示图1中沿2-2’线段的剖面示意图。在图1与图2中，发光装置100包括第一基板110、保护层120、第二基板 130、缓冲部140及密封部150。第一基板110上具有发光元件112。第一基板110例如可为绝缘的基板，其材料例如可为玻璃、石英、陶瓷或塑料材质。在某些实施例中，发光元件112可包含有机发光元件(organic light emitting element)、高分子发光兀件(polymeric light emitting element)、或磷光体层(phosphor layer)。在一实施例中，发光装置100为一有机发光显示装置(orgmic light emitting display device)，发光元件112即包含一有机发光元件 (organic light emitting elements)的阵列(图中未绘示)。保护膜120覆盖于发光元件112上，并具有第一热膨胀系数(coefficient of thermal expansion ；CTE) 0保护膜120可保护发光元件112避免损害。在一实施例中，保护膜120可防止水气的渗透而保护发光元件112。保护膜120可包含具有抵抗水气的材料， 例如压克力树脂(acrylic resin)与环氧树脂(印0Xy resin)。如图1所示，在一实施例中，保护膜120的面积大于发光元件112，而能覆盖发光元件112全体。在某些实施例中， 保护膜120的第一热膨胀系数介于约70X 10_6/K至约300Χ 10_6/Κ之间，例如第一热膨胀系数可为约147Χ10_6/Κ。保护膜120的形成方式可用任何习知的适当方式来制作，例如涂布 (coating)、喷吐(dispensing)、或网版印刷(screen printing)等工艺方式。而在压克力树脂(acrylic resin)或环氧树脂(印oxy resin)等材料作为保护膜120的实施例中，加热固化(thermal curing)或是UV光固化(ultraviolet light curing)的工艺也可被使用于固化保护膜120。第二基板130配置于保护膜120的上方。具体而言，第二基板130配置于保护膜 120的上方，且保护膜120以及发光元件112夹置于第一基板110与第二基板130之间而形成类似三明治的结构。在一实施例中，第二基板130的尺寸可等于或小于第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种发光装置，其特征在于，包含：一第一基板，具有一发光元件；一保护层，覆盖该发光元件，且具有一第一热膨胀系数；一第二基板，位于该保护层的上方；一缓冲部，位于该第一基板与该第二基板之间，且环绕该保护层，该缓冲部具有一第二热膨胀系数，且该第二热膨胀系数小于该第一热膨胀系数；以及一密封部，位于该第一基板与该第二基板之间，且环绕该缓冲部，该密封部具有一第三热膨胀系数，且该第三热膨胀系数小于该第二热膨胀系数。
【技术特征摘要】
2010.11.16 TW 0991393841.一种发光装置，其特征在于，包含一第一基板，具有一发光元件；一保护层，覆盖该发光元件，且具有一第一热膨胀系数；一第二基板，位于该保护层的上方；一缓冲部，位于该第一基板与该第二基板之间，且环绕该保护层，该缓冲部具有一第二热膨胀系数，且该第二热膨胀系数小于该第一热膨胀系数；以及一密封部，位于该第一基板与该第二基板之间，且环绕该缓冲部，该密封部具有一第三热膨胀系数，且该第三热膨胀系数小于该第二热膨胀系数。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该缓冲部直接接触该密封部与该保护层。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该缓冲部包含一高分子树脂；以及多个无机氧化物颗粒分散于该高分子树脂中；其中该无机氧化物在该缓冲部中的重量百分浓度为约20%至约80%。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该无机氧化物选自由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化铁、氧化锑、氧化磷、氧化铝、氧化硼、氧化钨、氧化镁、氧化铋、氧化钒、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化碲、氧化铅、氧化锡、氧化钌、氧化铷、氧化铑以及氧化铜所组成的群组。5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该些无机氧化物颗粒的粒径介于约 IOnm至约500nm之间。6.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该高分子树脂的材料选自由压克力树脂、环氧树脂以及上述组合所组成的群组。7.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该无机氧化物颗粒的浓度分布随着该缓冲部与该保护层间的距离增加而递增。8.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该无机氧化物颗粒的浓度在该缓冲部邻近该密封部的一端点...
【专利技术属性】
技术研发人员：施宏欣，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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