【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法，更具体地，涉及包括氧处理(oxygen treated)区域的HMET及其制造方法。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)包括具有不同带隙的半导体。在HEMT中，具有不同带隙的半导体接合在一起。具有较宽带隙的半导体用作施主。这样的具有较宽带隙的半导体在具有较窄带隙的半导体中形成二维电子气0DEG)。在HEMT中，2DEG可以用作沟道。HEMT可以是具有改善的电荷载流子迁移率和高的击穿电压的晶体管，并可以用作功率器件。较宽带隙的半导体可以是化合物半导体。因此，HEMT的击穿电压可以为高的。 2DEG可以通过η掺杂具有较宽带隙的材料或通过使用极化材料而形成。因为HEMT在没有施加外电场时包括沟道，所以HEMT以耗尽模式工作。然而，为了简化电路，HEMT可以以增强模式工作(在下文，称为“Ε模式”)。E模式可以通过去除设置在栅极之下的沟道来实现。在HEMT中，栅极与漏极之间的2DEG在关断操作期间被去除。空间电荷保留，电场由于空间电荷而集中在栅极处。由于电场集中在栅极处，HEMT的击穿电压会减小。为了实现E模...
【技术保护点】
１．一种高电子迁移率晶体管，包括：沟道层；沟道提供层，配置为在所述沟道层中感生二维电子气沟道；源极电极、栅极电极和漏极电极，在所述沟道层和所述沟道提供层上；以及氧处理区域，包括所述晶体管的至少所述沟道提供层的部分，该氧处理区域邻近所述栅极电极。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。