氮化物半导体元件制造技术

本发明专利技术的氮化物半导体元件，包含：基板；第1缓冲层，其形成于所述基板上，由交替地层叠了多对相互组成不同的2种III族氮化物半导体层的超晶格构造构成；第2缓冲层，其在所述第1缓冲层上，与该第1缓冲层相接地被层叠，由交替地层叠了多对相互组成不同的2种III族氮化物半导体层的超晶格构造构成；和元件动作层，其形成于所述第2缓冲层上，由III族氮化物半导体构成，所述第1缓冲层的平均晶格常数LC1、所述第2缓冲层的平均晶格常数LC2、和所述元件动作层的平均晶格常数LC3，满足下式(1)。式(1)：LC1＜LC2＜LC3。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用了 III族氮化物半导体的氮化物半导体元件。
技术介绍
作为使用于功率放大电路、电动机驱动电路等的功率器件，使用了 III族氮化物半导体的HEMT (High Electron Mobility Transistor 高电子迁移率晶体管)和 MISFET(Metal Insulator Semiconductor Field EffectiTransistor :MIS 型场效应晶体管)等氮化物半导体器件是公知。氮化物半导体器件，例如，使用外延生长晶片(印itaxial wafer)来制造，该外延生长晶片具有基板、和在基板上使III族氮化物半导体进行外延生长而形成的外延层。所使用的基板，考虑到基板与外延层之间的线膨胀系数的差的减小，优选为同种基板，即III 族氮化物半导体基板。但是，因为III族氮化物半导体基板价格高，所以近年，不断取代III族氮化物半导体基板，而使用Si基板和SiC基板等其它种类基板。在此情况下，在其它种类基板与外延层之间，设有缓冲层。缓冲层由比外延层平均晶格常数小的组合物构成，缓和在外延生长后的冷却中起因于内部应力的外延生长晶片的翘曲，该内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氮化物半导体元件，其包含：基板；第１缓冲层，其形成于所述基板上，由交替地层叠了多对相互组成不同的２种ＩＩＩ族氮化物半导体层的超晶格构造构成；第２缓冲层，其在所述第１缓冲层上，与该第１缓冲层相接地被层叠，由交替地层叠了多对相互组成不同的２种ＩＩＩ族氮化物半导体层的超晶格构造构成；和元件动作层，其形成于所述第２缓冲层上，由ＩＩＩ族氮化物半导体构成，所述第１缓冲层的平均晶格常数ＬＣ１、所述第２缓冲层的平均晶格常数ＬＣ２、和所述元件动作层的平均晶格常数ＬＣ３，满足下式（１），其中，式（１）为：ＬＣ１＜ＬＣ２＜ＬＣ３。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口敦司，伊藤范和，高堂真也，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP