温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的氮化物半导体元件，包含：基板；第1缓冲层，其形成于所述基板上，由交替地层叠了多对相互组成不同的2种III族氮化物半导体层的超晶格构造构成；第2缓冲层，其在所述第1缓冲层上，与该第1缓冲层相接地被层叠，由交替地层叠了多对相互组成不同的...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。