【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多层布线基板,该多层布线基板具有通过交替地堆叠多个由相同的树 脂绝缘材料构成的树脂绝缘层和多个导体层形成为多层的堆叠结构,并且在最终的产品中 没有所谓的芯基板,该芯基板承载相继形成在其反向表面上的堆积层。
技术介绍
被用作计算机等的微处理器的半导体集成电路器件(IC芯片)近来已经变得越来 越快速和多功能。因此,端子数量趋向于增加,并且端子之间的节距趋向于变窄。通常,在 IC芯片的底面上,以阵列形状密集地布置了多个端子,并且这样的一组端子以倒装晶片形 状连接到母板上的一组端子。然而,因为端子之间的节距在IC芯片上的一组端子和母板上 的一组端子之间显著地不同,所以难以将IC芯片直接地连接到母板上。因此,通常,使用下 述方法,其中通过将IC芯片安装到IC芯片安装布线基板上来制造半导体封装,并且将半导 体封装安装到母板上。作为用于构造这样的种类的封装的IC芯片安装布线基板,在实践中使用通过在 芯基板的前后表面上形成堆积层而获得的多层布线基板。在多层布线基板中,例如,通过注 入具有加强纤维的树脂而获得的树脂基板(诸如,玻璃环氧树脂基板)用作芯基板。另外, 通过利用芯基板的刚度在芯基板的前后表面上交替地堆叠树脂绝缘层和导体层来形成堆 积层。即,在多层布线基板中,芯基板具有加强功能,并且形成为与堆积层相比具有大得多 的厚度。另外,穿过芯基板形成用于在前后表面上形成的堆积层之间的互连的布线(具体 地,通孔导体等)。另一方面,随着半导体集成电路器件近来变得越来越快,所使用的信号频率会变 为高频带。在该情况下,穿过芯基板的布线与大电感有关,这与高频信号传输损耗 ...
【技术保护点】
1.一种多层布线基板,包括:通过交替地堆叠多个导体层和包括相同的树脂绝缘材料的多个树脂绝缘层而形成为多层的堆叠结构;多个第一主表面侧连接端子,其布置在所述堆叠结构的第一主表面中;以及多个第二主表面侧连接端子,其被布置在所述堆叠结构的第二主表面中,其中所述多个导体层形成在所述多个树脂绝缘层中,并且通过导通孔导体可操作地彼此连接,所述导通孔导体逐渐变细使得其直径向所述第一主表面或所述第二主表面变宽,其中在所述堆叠结构的所述第二主表面中的暴露的最外树脂绝缘层中形成多个开口,以及从所述暴露的最外树脂绝缘层的外主表面向内地定位被布置为与所述多个开口匹配的所述第二主表面侧连接端子的端子外表面,并且端子内表面的边缘被倒圆。
【技术特征摘要】
2009.12.28 JP 2009-2969121.一种多层布线基板,包括通过交替地堆叠多个导体层和包括相同的树脂绝缘材料的多个树脂绝缘层而形成为 多层的堆叠结构;多个第一主表面侧连接端子,其布置在所述堆叠结构的第一主表面中;以及 多个第二主表面侧连接端子,其被布置在所述堆叠结构的第二主表面中, 其中所述多个导体层形成在所述多个树脂绝缘层中,并且通过导通孔导体可操作地彼此连 接,所述导通孔导体逐渐变细使得其直径向所述第一主表面或所述第二主表面变宽, 其中在所述堆叠结构的所述第二主表面中的暴露的最外树脂绝缘层中形成多个开口,以及 从所述暴露的最外树脂绝缘层的外主表面向内地定位被布置为与所述多个开口匹配 的所述第二主表面侧连接端子的端子外表面,并且端子内表面的边缘被倒圆。2.根据权利要求1所述的多层布线基板, 其中被布置为与所述多个开口匹配的所述多个第二主表面侧连接端子的所述端子外表面 具有凹形状。3.根据权利要求1所述的多层布线基板, 其中被布置为与所述多个开口匹配的所述多个第二主表面侧连接端子的所述端子外表面 具有凹形状,并且从所述最外树脂绝缘层的内主表面向内地定位所述端子外表面的最深部 分。4.根据权利要求1所述的多层布线基板,其中,在所述堆叠结构的所述第二主表面中,所述暴露的最外树脂绝缘层的所述外主 表面被定义为基准表面,并且从所述外主表面延伸到每一个端子内表面的端部的长度(X) 比从所述外主表面延伸到每一个端子内表面的中心部分的长度(Y)短。5.根据权利要求1所述的多层布线基板,其中,在所述堆叠结构的所述第二主表面中,当所述暴露的最外树脂绝缘层的所述外 主表面被用作基准表面时,从所述外主表面延伸到每一个端子内表面的长度从每一个端子 内表面的中心部分向其端部逐渐变短。6.根据权利要求1所述的多层布线基板, 其中被布置为与所述多个开口匹配的所述多个第二主表面侧连接端子具有下述结构,其中 只有作为主体的铜层的上表面被由除了铜之外的材料构成的镀层覆盖。7.根据权利要求1所述的多层布线基板, 其中被布置为与所述多个开口匹配的所述多个第二主表面侧连接端子连接到母板并且与 多个母板连接端子相对应,每一个母板连接端子具有比每一个第一主表面侧连接端子的面 积大的面积。8.根据权利要求1所述的多层布线基板,其中,相对于所述堆叠结构的所述第二主表面,从所述暴露的最外树脂绝缘层的所述 外主表面延伸到最近的导体层的厚度(L...
【专利技术属性】
技术研发人员:前田真之介,铃木哲夫,杉本笃彦,伊藤达也,半户琢也,平野训,
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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