【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低温多晶硅薄膜的制造方法,特别涉及一种改进的利用金属诱导 使非晶硅晶化,从而获得高质量多晶硅的制造方法。
技术介绍
随着高科技的发展,视讯产品,特别是数字化视讯或影像装置已经成为一般日常 生活中常见的产品。这些数字化视讯或影像装置中,显示器是一个尤其重要元件。为了提 高显示器的性能,通常采用TFT组成象素驱动电路及其周边驱动电路,这些TFT大多采用 多晶硅薄膜作为其有源层,并且驱动电路和显示元件一起制作在成本低廉的透明玻璃衬底 上,这都要求多晶硅薄膜的性能较好,并且要求在低温条件下制作。准分子激光退火以及金属诱导制备多晶硅的技术是目前业界中制备多晶硅薄膜 的两种常规方法。与准分子激光退火的方法相比,金属诱导技术可得到迁移率高,表面平坦 的多晶硅薄膜,并且制作工艺及设备也较为简单。但这一方法目前也存在着一些问题,例如 晶化完成之后,诱导口附近的金属残留过重。为了解决这个问题,目前人们通常采用将诱 导金属层做得很薄,或在退火处理后采用PSG吸收,或采用自缓释等混合材料控制诱导金 属在非晶硅材料的扩散等方法,但是这些方法都无法彻底避免在诱导口附近会留 ...
【技术保护点】
1.一种可调控的金属诱导多晶硅薄膜的制造方法,包括:步骤1):提供绝缘衬底,在所述绝缘衬底上依次形成阻挡层和非晶硅层;步骤2):在所述非晶硅层上形成缓冲层,并在该缓冲层上光刻出凹槽,使得所述凹槽的底部和所述非晶硅层的上表面之间具有一定距离;步骤3):在经过所述光刻后的缓冲层上沉积一层金属诱导层;步骤4):在保护性气体中进行退火晶化;步骤5):去除缓冲层和金属诱导层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄宇华,黄飚,彭俊华,
申请(专利权)人:广东中显科技有限公司,
类型:发明
国别省市:44
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