制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的方面涉及一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体 管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。更具体地讲，本发 明的方面涉及一种包括使金属催化剂扩散到缓冲层中并使用缓冲层中的金属催化剂使非 晶硅层结晶成多晶硅层的制造多晶硅层的方法，一种在多晶硅层用作半导体层时具有减少 的残余金属催化剂和改善的特性的薄膜晶体管，一种包括该薄膜晶体管的有机发光二极管 显示装置及它们的制造方法。
技术介绍
通常，多晶硅层具有高电场效应迁移率、适用于高速运算电路并能用于互补金 属-氧化物半导体(CMOS)电路的优点，因此，多晶硅层被广泛用作薄膜晶体管(TFT)的半 导体层。使用多晶硅层的TFT被用作有源矩阵液晶显示器(AMLCD)的有源器件和用作有机 发光二极管(OLED)显示装置的开关器件和驱动器件。使非晶硅层结晶成多晶硅层的方法包括固相结晶(SPC)、准分子激光结晶(ELC)、 金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和其它类似方法。目前，由于使用金属来使非晶硅结晶的方法具有比SPC方法更低的结晶温度和更 短的结晶时间的优点，所以该方法正被广泛研本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造多晶硅层的方法，包括以下步骤：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李东炫，李基龙，徐晋旭，梁泰勋，郑胤谟，朴炳建，李吉远，朴钟力，崔宝京，苏炳洙，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR