本实用新型专利技术涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉技术。一种单晶生长热系统的煅烧处理装置，在矩形框架的机架(3)上方固定设置一个圆筒形或矩形炉体(1)，炉底(1c)放置在垫板(7)上，垫板(7)的下部安装两排滚轮(8)，并放置在托板(9)上，托板(9)由升降机构驱动可上下移动，与托板(9)位于机架(3)底部的位置相平齐，横向平行设置两根与两排滚轮(8)相对应的导轨(12)；托板(9)上的滚轮(8)由横向驱动机构驱动可在导轨(12)上作水平移动；在炉体(1)内设置棒状电加热器(14)；炉体(1)的炉身(1b)、炉盖(1a)和炉底(1c)由金属外壳和保温层组成。本实用新型专利技术首创专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置；以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧，更加灵活机动，提高煅烧处理效果和效率，节省能源。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术，具体是涉及对单晶 生长炉中热系统的煅烧处理装置结构。
技术介绍
硅单晶生长需要在洁净的状况下进行，单晶炉热系统中有许多器件是用石墨加工 而成，而石墨化炉是在石墨坯料上覆盖了大量的石墨焦炭来保护，进行高温处理，不通保护 气体，是在常压下进行，所以用这种石墨加工出来的器件含有大量的灰份，另外石墨材料由 于在加工及运输过程中的沾污及含有水份等，必须经高温彻底煅烧后才能适合晶体生长使用。通常煅烧处理都在单晶炉中进行，但由于单晶炉热系统中的加热器置于热系统中 间，加热器的形状是园桶形，一个22英寸加热器有效煅烧直径为600mm左右，有效热区的高 度只有500mm左右，因此它主要能加热的方向和范围仅限于加热器内部有限区域及对应的 外侧，而热系统的大部份区域不直接面对加热器难以直接加热，使得热系统的上、下部位及 保温罩外层区域都无法得到高温的有效锻烧，其结果只能是大大延长锻烧时间，由加热器 间接传递的热量缓慢进行加热，这样的方式不仅化费大量时间，还因为煅烧效果不佳使开 始几炉拉晶不顺利。单晶炉是一个重要、耗能量大、造价昂贵的工作设备，化费很长时间对 单晶炉热系统中新的石墨器件、保温材料用于煅烧加热处理是一种巨大的设备和能源的耗 费，大大耽误单晶炉的正常工作时间和效率。至今为止由单晶炉对单晶炉热系统进行加热煅烧处理，既是一种本领域习惯为常 的思维方式、习惯的煅烧处理方法，也是一种无奈之举。在日益追求高工作效率，降低能源消耗，尤其是世界范围的金融、经济危机加重的 今天，迫切希望能有所改善的方法和举措。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术用现有供生产加工单晶硅的单晶炉来锻烧处 理新的石墨器件及保温器件热系统的方法，加热煅烧效果差、效率低，成本高的缺点，提供 一种煅烧效率高、效果好、时间短、能源省、成本低的单晶生长热系统的煅烧处理装置。本技术的目的由以下技术方案予以实现。一种单晶生长热系统的煅烧处理装置，其特征在于在矩形框架的机架上方固定设置一个圆筒形或矩形，包括炉身、炉盖和炉底的炉 体，炉体内的体积大于等于包括石墨器件、保温层的一套单晶炉热系统外形尺寸；炉底放置 在垫板上，垫板的下部安装两排滚轮，并放置在托板上，托板由升降机构驱动可上下移动， 向下可移动至机架的底部；与托板位于机架底部的位置相平齐，横向平行设置两根与两排 滚轮相对应的导轨；托板上的滚轮由横向驱动机构驱动可在导轨上作水平移动；在炉体内 炉身、炉盖和炉底上分别设置棒状电加热器；炉体的炉身、炉盖和炉底由金属外壳和保温层组成；炉盖上设有充气孔、测温孔及炉盖压紧锁口。所述装置采用真空泵及增压泵、减速电机、电加热器，由控制器经包括温度传感 器、真空压力传感器、时间继电器、行程开关对装置运行进行控制。进一步，所述炉体内为圆筒形，内径为1000— 1200mm，高度为1000— 1200mm。进一步，所述升降机构为，托板的四角嵌入螺母，与由升降减速电机同步驱动的四 根丝杆组成上下移动的移动装置。进一步，所述横向驱动机构为，在垫板上固定横向减速电机，横向减速电机的输出 轴经转向传递，与一组滚轮固定连接。进一步，所述炉底下部经减震弹簧固定在垫板上。进一步，所述炉体电加热器为石墨碳棒连接成三相发热体，电加热器的温度为 1600 - 2000°C。进一步，所述炉体由隔层内通冷却水的不锈钢双层金属外壳和石墨毡保温层组 成。进一步，在所述炉体内设置可移动的搁置支架。本技术的有益效果采用本技术的专用煅烧炉，由炉体、机架、真空系统， 控制系统、加热系统及升降机械组成。可将最大M英寸整套热场全部置于高温区锻烧，缩 短煅烧周期，节省能耗上取得了很好的效果。单晶炉煅烧整套热场需要120小时，期间还需 清炉四次，耗电约5000度左右；而煅烧炉只需50小时一个周期(煅烧24小时，伫炉沈小 时)，只需清炉1次，节省劳动强度，且充分高温煅烧，耗电约3000度左右，节电达40%以上， 而且煅烧效果更好，用这种方法煅烧的热系统第一炉拉晶就能使晶体无位错生长到底。单 独石墨器件的煅烧效率和节能效果会更好，它弥补了当前都用单晶炉来锻烧新的石墨器件 及保温器件组成的热系统效果差、效率低、成本高、劳动强度大的缺点。经过测算和试验，采用本技术，在单晶炉煅烧基础上节电达40%以上，中国有 几千台单晶炉，每台单晶炉每月开十几炉，一套热系统有二十几件石墨器件，每件石墨器件 使用寿命在30—150炉之间，不包括现在每年超过新增上千台单晶炉外，每月更换使用寿 命到期的石墨器件就是一个巨大数量，充分发挥专用煅烧炉的功能，将会产生巨大的经济 效益和社会效益。总之，本技术①首创改变和摆脱了以往必须，只能在单晶炉中加热煅烧单 晶炉热系统的处理方法，提供了一种另外专门供煅烧处理单晶炉热系统装置的一种方法； ②本装置煅烧既可煅烧整体，也可煅烧零部件，更加灵活机动，明显提高煅烧处理效果和效 率；③充分利用煅烧炉内部空间，调剂控制煅烧时间，节省能源，提高原单晶炉的工作效率， 不必为煅烧处理，尤其是个别零部件而占用整个单晶炉；④操作方便，在同样的时间中可以 煅烧处理更多工件，降低了操作人员的操作时间和劳动强度，因为它有移出装置。附图说明图1为本技术单晶生长热系统的煅烧处理装置的一种实施方式总体结构配 置示意图，其中托板部件位于机架的上部，炉底与炉身呈关闭状态。图2为图1中托板部件向下移动，炉底与炉身呈脱开状态，装置的结构配置示意 图。图3为图1中托板部件向下移动至机架的底部位置，装置的结构配置示意图。图4为图1中，炉底放置在垫板上，垫板的下部安装两排滚轮，由减速电机的输出 轴经转向传递，与一组滚轮固定连接，驱动滚轮，炉底部件移出机架，位于导轨状态的装置 结构配置示意图。图中，1是炉体、Ia是炉盖、Ib是炉身、Ic是炉底、2是传动杆、3是机架、4是升降减速电机、5是丝杆、6是减震弹簧、7是垫板、8是滚轮、9是托板、10是 真空泵、11是横向减速电机、12是导轨、13是控制器、14电加热器。具体实施方式以下结合附图进一步详细说明本技术的结构。一种单晶生长热系统的煅烧处理的专用煅烧炉，由炉体、机架3、真空泵10，控制 器13、电加热器14及升降机械组成。煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统；专用煅烧容器为电加热方式，通过下炉盖Ia的下降和移出，可以非常方便的将锻 烧石墨器件装进和取出，加热时温度可达到2000°C，且为真空状态，冷态真空度小于等于1 P a ；采用技术方案，先将炉底Ic由升降机构向下移动至机架3的底部至图3所示，炉 底Ic下部通过减震弹簧6固定在垫板7上进行减震，防止操作时热系统损坏，然后炉底Ic 由横向驱动机构，在导轨12向外移动至图4所示。在炉体1内炉身lb、炉盖Ia和炉底Ic上分别设置板状电加热器14 ；炉体1的炉 身lb、炉盖Ia和炉底Ic由由隔层内通冷却水的不锈钢双层金属外壳和保温层组成；炉盖 Ia上设有充气孔、测温孔及炉盖压紧锁口 ；将最大M英寸整套热场放置于专用煅烧容器内 或在装置内设置可变动距离的支架，实行多层放置煅烧物，然后炉底Ic由横向驱动机构移 动至图3所示，炉底Ic由升降机构向上移动本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单晶生长热系统的煅烧处理装置，其特征在于： 在矩形框架的机架（３）上方固定设置一个圆筒形或矩形，包括炉身（１ｂ）、炉盖（１ａ）和炉底（１ｃ）的炉体（１），炉体（１）内的体积大于等于包括石墨器件、保温层的一套单晶炉热系统外形尺寸； 炉底（１ｃ）放置在垫板（７）上，垫板（７）的下部安装两排滚轮（８），并放置在托板（９）上，托板（９）由升降机构驱动可上下移动，向下可移动至机架（３）的底部；与托板（９）位于机架（３）底部的位置相平齐，横向平行设置两根与两排滚轮（８）相对应的导轨（１２）；托板（９）上的滚轮（８）由横向驱动机构驱动可在导轨（１２）上作水平移动； 在炉体（１）内炉身（１ｂ）、炉盖（１ａ）和炉底（１ｃ）上分别设置棒状电加热器（１４）； 炉体（１）的炉身（１ｂ）、炉盖（１ａ）和炉底（１ｃ）由金属外壳和保温层组成； 炉盖（１ａ）上设有充气孔、测温孔及炉盖压紧锁口； 所述装置采用真空泵及增压泵（１０）、减速电机、电加热器（１４），由控制器（１３）经包括温度传感器、真空压力传感器、时间继电器、行程开关对装置运行进行控制。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施承启，胡如权，李海波，
申请(专利权)人：上海卡姆丹克太阳能科技有限公司，卡姆丹克太阳能江苏有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31
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