【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及坩埚法生长晶体炉子装置的改进机构,更具体地说是直拉硅 单晶棒生长炉子中热系统安装和拆除的一种拆装装置。
技术介绍
公知,单晶生长的工艺炉的结构为自下而上依次是炉体支架、坩埚轴传 动升降部分、炉底板、下炉筒、中炉筒和炉盖,炉盖上方设置可容纳生长出 晶体的副室,副室上方是晶体提拉和旋转机构,籽晶轴、重锤、籽晶夹头和 籽晶从副室上方中心可一直下降到与石英坩埚内硅熔体接触,通过温度和各 种控制,使硅熔体定向在籽晶下结晶并不断长大,达到晶体生长的目的。热系统是晶体生长炉中核心部件,它主要包括三大部份,安装在炉底两 电极柱上的石墨电阻加热器为硅料熔化和晶体生长提供热量,其二是安装在 加热器中间的石墨坩埚托(用于承放装有固体硅料的石英坩埚)及连接炉底坩 埚轴的连杆和坩埚托盘,其三是提供保温及形成晶体生长所需的各部位、方 向的温度梯度器件。保温器件材料主要分两大类, 一类是内层保温器件需要 材料耐高温、致密、有强度,通常采用高纯石墨、碳碳纤维或表面进行过气 相沉积的梯度保温材料,另一类是在内保温层外面的热导率很低的保温材料, 主要有石墨软毡、固化毡。保温器件的分布 ...
【技术保护点】
一种直拉晶体生长炉热系统的拆装装置,包括下炉筒(14)及由包括下石墨保温罩、软毡或固化毡组成的下保温层(13),中炉筒(10)及由包括中石墨保温罩和软毡或固化毡组成的中保温层(6),其特征在于,在中炉筒(10)的下边缘向炉内设置至少三块水平托板(12),托板(12)支托一圆环状托盘(11),托盘(11)界于下炉筒(14)内部的下保温层(13)和中炉筒(10)内部的中保温层(6)之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:施承启,胡如权,
申请(专利权)人:上海卡姆丹克太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。