一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法技术

本发明专利技术涉及一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法，该方法在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，把已经脱棱的肩放大，且自动等径4～9厘米；然后退出自动等径状态，改为手动状态，将功率值升高至60～90千瓦，晶转放在1～3转/分，埚转在1～3转/分，将等径的4～9厘米长的多晶进行回熔，待熔去50～70％的晶体后，把功率值降至40～60千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。采用本发明专利技术，晶体会从表面及下部开始熔化，慢慢地熔化成“桃形”状，容易吸附大量杂质，起到了净化硅熔体的作用，且可减少吊肩次数，达到既能提高单晶成品率，又能提高生产效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
在单晶生产过程中，原料的纯净度会导致在单晶拉制的过程中需要频繁取肩。传统的工艺是放肩脱棱后，把肩放大后直接吊取，往往是需要吊取4 5个肩，甚至更多才能将熔体中的杂质除去，这样，不仅生产效率低，而且会影响单晶成品率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供既能提高单晶成品率，又能提高生产效率的。本专利技术采取的技术方案是，其特征在于在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，把已经脱棱的肩放大，且自动等径4 9厘米；然后退出自动等径状态，改为手动状态，将功率值升高至 60 90千瓦，晶转放在1 3转/分，埚转在1 3转/分，将等径的4 9厘米长的多晶进行回熔，待熔去50 70%的晶体后，把功率值降至40 60千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。采用本专利技术，由于在高温状态下，熔体中温度分布是径向外围高，中间低，纵向上部低，中部高，晶体会从表面及下部开始熔化，慢慢地熔化成“桃形”状，再者晶体是固体，相对于熔体来说温度较低，杂质会向晶体方向移动，并粘附在晶体上，而且“桃形肩”的表面积大，容易吸附大量杂质，在此原理作用下，熔体中的杂质会尽可能地粘在“桃形”肩上，顺势吊起“桃形”肩，起到了净化硅熔体的作用，且可减少吊肩次数，达到既能提高单晶成品率， 又能提高生产效率的目的。具体实施例方式下面结合具体的实施例对本专利技术作进一步说明。在单晶直拉过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，接着把已脱棱的肩放大，且自动等径4 9厘米；然后退出自动等径状态，改手动状态，将功率值升高至60 90千瓦，晶转放在1 3转/分，埚转在1 3转/分，将等径的4 9厘米长的多晶进行回熔，待熔去50 70%的晶体后，把功率值降至40 60千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”并吊取即可。权利要求1. ，其特征在于在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，把已经脱棱的肩放大，且自动等径4 9厘米 ’然后退出自动等径状态，改为手动状态，将功率值升高至60 90千瓦，晶转放在1 3转/ 分，埚转在1 3转/分，将等径的4 9厘米长的多晶进行回熔，待熔去50 70%的晶体后，把功率值降至40 60千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。全文摘要本专利技术涉及，该方法在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，把已经脱棱的肩放大，且自动等径4～9厘米；然后退出自动等径状态，改为手动状态，将功率值升高至60～90千瓦，晶转放在1～3转/分，埚转在1～3转/分，将等径的4～9厘米长的多晶进行回熔，待熔去50～70％的晶体后，把功率值降至40～60千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。采用本专利技术，晶体会从表面及下部开始熔化，慢慢地熔化成“桃形”状，容易吸附大量杂质，起到了净化硅熔体的作用，且可减少吊肩次数，达到既能提高单晶成品率，又能提高生产效率的目的。文档编号C30B15/00GK102212872SQ20111013429公开日2011年10月12日 申请日期2011年5月20日 优先权日2011年5月20日专利技术者江土军 申请人:浙江星宇能源科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法，其特征在于在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后，保持单晶炉的功率值在放肩功率，把已经脱棱的肩放大，且自动等径４～９厘米；然后退出自动等径状态，改为手动状态，将功率值升高至６０～９０千瓦，晶转放在１～３转／分，埚转在１～３转／分，将等径的４～９厘米长的多晶进行回熔，待熔去５０～７０％的晶体后，把功率值降至４０～６０千瓦，使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江土军，
申请(专利权)人：浙江星宇能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33