【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体及其制备方法，特别涉及一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法。
技术介绍
众所周知单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。硅的也就是单晶硅，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。而传统的单晶硅生产工艺一般将硅原料放入坩埚中加热，用一个晶种与此熔化的表面相接触期间转动，同时提拉晶种，随着表面固化进行晶体生长，从而得到一根柱状的单晶硅。但是按此方法为了按要求制造P型或N型半导体需单晶硅中掺入微量的IIIA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成P型硅半导体；如掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成η型硅半导体，在掺杂母合金的时候越到下部杂质含量越高，同时在掺杂母合金的时候不可避免带入氧、碳杂质造成单晶硅上部或下部氧气分布不均勻。专利技术...
【技术保护点】
１．一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法，把２５ＫＧ的多晶硅（占原料３５．７２％）、边皮１５ＫＧ（占原料２１．４３％）、复拉棒２０ＫＧ（占原料２８．５７％）、抛光片５ＫＧ（占原料７．１４％）、头尾料５ＫＧ（占原料７．１４％）放入单晶炉，单晶炉的石英锅的温度达到硅的融点才１４１０度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转动，种晶从上面下降，点到锅的液面点，慢慢反方向转动，锅下面同时在加热，液面上加冷，种晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引、放肩、转肩、正常拉棒、收尾，在一段时间后，一个单晶棒形成。
【技术特征摘要】
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