发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极部分，该第一电极部分连接到第一导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上的电流扩展层；在第一电极部分上的绝缘层；以及第二电极部分，该第二电极部分包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和电流扩展层中的至少一个的第一接触部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被视为用于诸如发光二极管 (LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。III-V族氮化物半导体中的每一个由具有InxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。LED是一种半导体器件，其被用作光源或者使用化合物半导体的特性以将电转换为红外线或者光，从而在其间接收或发送信号。这些半导体基LED或者LD被广泛地用在发光器件中，并且被应用为用于诸如蜂窝电话的键区发光单元、电光面板以及照明装置的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供具有新电极结构的发光器件。实施例提供在第二导电类型半导体层上具有电流扩展层和绝缘层的堆叠结构的发光器件。实施例提供在第二导电类型半导体层上具有电流扩展层、绝缘层以及第二电极的堆叠结构的发光器件。实施例提供在第二导电类型半导体层上具有电流扩展层、绝缘层以及第一电极的堆叠结构的发光器件。实施例提供一种发光器件，其中第一和第二电极的图案被布置在第二导电类型半导体层、电流扩展层以及绝缘层的堆叠结构上。实施例提供具有其中第一和第二电极的图案的一部分相互垂直地重叠的结构的发光器件。实施例可以改进包括发光器件和照明系统的发光器件封装的可靠性。在一个实施例中，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，该第一电极连接到第一导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上的电流扩展层；在第一电极上的绝缘层；以及第二电极，该第二电极包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和电流扩展层中的至少一个的第一接触部分。在另一实施例中，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层； 在第一导电类型半导体层上的第一电极；在第二导电类型半导体层上的由透射材料形成的电流扩展层；在第一导电类型半导体层上的绝缘层；以及第二电极，该第二电极包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和电流扩展层中的至少一个的至少一个第一接触部分。在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的侧截面图。图2是根据第二实施例的发光器件的侧截面图。图3是根据第三实施例的发光器件的侧截面图。图4是根据第四实施例的发光器件的侧截面图。图5是根据第五实施例的发光器件的透视图。图6是示出图5的发光器件的平面图。图7是沿着图6的线A-A截取的侧截面图。图8是沿着图6的线B-B截取的侧截面图。图9至图16是示出根据第六实施例的制造发光器件的工艺的视图。图17是根据第七实施例的发光器件的平面图。图18是根据第八实施例的发光器件的平面图。图19是根据第九实施例的发光器件的平面图。图20是沿着图19的线C-C截取的侧截面图。图21是沿着图19的线D-D截取的侧截面图。图22是根据第十实施例的发光器件的平面图。图23是沿着图22的线E-E截取的侧截面图。图24至图28是示出根据第十一实施例的制造发光器件的工艺的视图。图29是根据实施例的发光器件封装的视图。图30是示出根据实施例的显示装置的图；图31是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及图32是示出根据实施例的照明装置的图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下， 并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于每层“上”和“下”的参考。在附图中，为了描述的方便和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述示例性实施例。图1是根据第一实施例的发光器件的侧截面图。参考图1，发光器件100包括衬底111、第一导电类型半导体层113、有源层115、 第二导电类型半导体层117、第一电极部分120和121、绝缘层130、第二电极部分150和152 以及电流扩展层140。衬底111可以选择性地使用透射衬底、绝缘衬底以及导电衬底。衬底111可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP以及Ge中的至少一个形成。诸如不平坦图案的光提取结构可以被布置在衬底111上或/和下面。不平坦图案可以具有条状、透镜形状、柱形以及突起形状。包括II至VI族元素的化合物半导体的第一半导体层可以被布置在衬底111上。 第一半导体层可以具有层、图案或者光提取结构。第一半导体层可以包括缓冲层和未掺杂的半导体层中的至少一个。缓冲层可以减少GaN材料和衬底材料之间的晶格错配。缓冲层可以由从由GaN、InN, AlN, InGaN、AlGaN、InAlGaN以及AlInN组成的组中选择的至少一个形成。未掺杂的半导体层可以被布置在衬底111或者缓冲层上。例如，未掺杂的半导体层可以是其中没有有意地掺杂导电类型掺杂物的未掺杂氮化物基半导体层。未掺杂的半导体层可以是具有显著地低于第一导电类型半导体层的导电性的导电性的半导体层。例如，未掺杂的半导体层可以是未掺杂的GaN层并且具有第一导电特性。缓冲层可以具有其中交替地堆叠彼此不同的半导体层的超晶格结构。缓冲层可以具有至少两个周期的InGaN/GaN。缓冲层可以减少从衬底111转移的晶格错配。发光结构层112可以被布置在衬底111或者第一半导体层上。发光结构层112可以包括由III-V族化合物半导体形成的至少三层。该至少三层中的至少两层可以被掺杂有彼此不同的导电类型掺杂物。发光结构层112可以包括第一导电类型半导体层113、有源层115以及第二导电类型半导体层117。另一半导体层可以进一步布置在层中的每一个上或者下面，但是不限于此。第一导电类型半导体层113可以被布置在衬底111或者第一半导体层上。第一导电类型半导体层113可以具有单或者多层结构。第一导电类型半导体层被掺杂到第一导电类型半导体层113中。第一导电类型半导体层113可以由III-V族化合物半导体形成，例如，由从由GaN、 A1N、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 组成的组中选择的至少一个形成。第一导电类型半导体层113可以由具有InxAlyGai_x_yN(0≤χ≤1， O≤y≤ 1)的组成式的半导体材料形成。第一导电类型半导体层113可以是 N型半导体层。N型半导体层可以被掺杂有第一导电类型掺杂物，例如，诸如Si、Ge、Sn、Se 或者Te的N型掺杂物。第一导电类型半导体层113可以具有其中堆叠彼此不同的半导体层的超晶格结构。超晶格结构可以包括GaN/InGaN结构或者GaN/AlGaN结构。超晶格结构可以包括其中交替地堆叠彼此不同的具有数A或者更大厚度的至少两对或者更多对两层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极部分，所述第一电极部分连接到所述第一导电类型半导体层；在所述第二导电类型半导体层上的电流扩展层；在所述第一电极部分上的绝缘层；以及第二电极部分，所述第二电极部分包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和所述电流扩展层中的至少一个的第一接触部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，林祐湜，秋圣镐，崔炳均，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR