【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多晶硅氢气气氛下的还原炉，特别涉及所述还原炉的启动电路。
技术介绍
目前国内大部分多晶硅还原炉的启动是在氮气气氛下烘烤启动，这种启动方式安 全系数高，但是启炉的成功率较低、启动时间较长，最大的缺点是容易产生氧化夹层出多晶娃废品。德国MSA公司提供的在氮气气氛下启动，通过预加热器卤素灯的热量把硅芯击 穿，倒入后续电气设备后再把预加热器取出，操作过程复杂，不易控制。国内有企业利用高压在氢气气氛下三相击穿，效果也不错，但是需要增加过多的 额外设备，增加了整个系统的设备成本。
技术实现思路
本技术的目的在于解决现有多晶硅氢气气氛下还原炉启动电路存在的操作 过程复杂、不易控制或成本较高的问题，提供一种改进的还原炉启动电路，采用两相击穿烘 烤一相的方式，相比三相击穿成本更低，相比预加热器的结构，缩短启炉时间，提高启炉成 功率。本技术的目的通过下述技术方案来实现—种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路，包括高压变压器及与之耦接的多组硅芯， 所述高压变压器包括第一、第二变压器，多组硅芯排布成内外两个环形，其中内环为一组， 外环包括对分的第一外半环和第二外半环；第一变压器耦接内环硅...
【技术保护点】
一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路，包括高压变压器及与之耦接的多组硅芯，其特征在于，所述高压变压器包括第一、第二变压器，多组硅芯排布成内外两个环形，其中内环为一组，外环包括对分的第一外半环和第二外半环；第一变压器耦接内环硅芯，第二变压器耦接第一外半环或第二外半环。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，赵仕明，殷沛光，胡乐沙，翟贵林，雷建明，
申请(专利权)人：峨嵋半导体材料研究所，
类型：实用新型
国别省市：51[中国|四川]
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