专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
峨嵋半导体材料研究所
>
一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路制造技术
>技术资料下载
下载一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路的技术资料
文档序号:6363886
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种多晶硅氢气还原炉的电路,涉及所述还原炉的启动电路,目的在于解决现有多晶硅氢气气氛下还原炉启动电路存在的操作过程复杂、不易控制或成本较高的问题,包括高压变压器及与之耦接的多组硅芯,所述高压变压器包括第一、第二变压器,多组硅...
该专利属于峨嵋半导体材料研究所所有,仅供学习研究参考,未经过峨嵋半导体材料研究所授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。