【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开涉及半导体器件，具体涉及半导体存储器件，其具有改进的具有分布 式接触焊盘的三维结构。
技术介绍
随着半导体工业的持续发展，要求更高的半导体器件集成度、更少功耗和/或更 高速度。具体而言，因为更高的集成度能够提高各种电子设备的规范，并且这是确定产品价 格的重要因素，所以更高集成度的重要性日益增长。因此，为实现高度集成的半导体器件， 半导体技术已获得长足发展，允许制造具有多种多样结构的半导体器件，从而远离了传统 的基本上平面或二维的半导体器件。随着半导体器件的高度集成以及多样性半导体器件结构的兴起，越来越难以确保 针对半导体器件中多样复杂的图案连接到导线和其他图案的工艺余量(process margin) 0 如果半导体器件制造过程中发生故障，则半导体器件的可靠性降低，这可能导致合并该半 导体器件的电子设备性能降低。因此，希望通过确保具有复杂图案的半导体器件中的工艺 余量，来增强高度集成的半导体器件的可靠性。
技术实现思路
本专利技术构思之一涉及单元阵列与该单元阵列外部的电路之间的连接。因此，本申 请的专利技术构思不应局限于竖向NAND (VNAND)，而...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙炳根，金汉洙，安永洙，金敏求，金镇瑚，崔在亨，崔锡宪，沈载株，赵源锡，沈善一，林周永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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