【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料新能源领域，特别涉及Ti02/W03复合薄膜的制备方法。
技术介绍
近些年来，随着能源枯竭、环境污染等问题的日益严峻，寻求合适的材料来解决当前能源和环境问题引起人们的极大关注。在众多金属氧化物半导体材料中，T^2以其无毒、 吸附性强、稳定性好、活性高等特点得到了广泛的关注和研究，尤其在光催化以及太阳能的存储与利用方面有着广阔的应用前景。然而，由于T^2为宽禁带半导体，对太阳光的利用仅局限于紫外部分，并且光生电子-空穴对的复合几率很高，导致了其应用效率的降低。因此，为了提高其电荷分离效率，减小电子空穴复合几率，通常采用阴离子掺杂或者采用复合薄膜的形式来实现。由于WO3金属氧化物半导体与TiA在电学、光学与电化学等方面具有很好的相似性和互补性，因此在实际应用中通常采用WO3作为耦合半导体材料。到目前为止，对于TiO2/ WO3复合薄膜的制备多采用溶胶-凝胶法，虽然此方法比较简单，但由于在干燥处理过程中薄膜容易开裂，并且膜层与基底的附着力较差，很难形成大面积质量完好的薄膜，从而限制了复合薄膜的实际应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种T...
【技术保护点】
１． 一种ＴｉＯ２／ＷＯ３复合薄膜的制备方法，其特征在于，首先使用双极脉冲磁控溅射在基底上溅射ＴｉＯ２薄膜，然后在溅射好的ＴｉＯ２薄膜上二次沉积ＷＯ３薄膜，将获得的复合薄膜进行退火处理即得ＴｉＯ２／ＷＯ３复合薄膜。
【技术特征摘要】
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