一种TiO2/SiO2复合薄膜的制备方法技术

技术编号:6107447 阅读:394 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种无机材料二氧化钛/二氧化硅(TiO2/SiO2)的制备,尤其是TiO2/SiO2复合薄膜的制备方法。本发明专利技术是采用磁控溅射法,把TiO2/SiO2复合纳米粉末,碾磨、充分混合均匀;然后压制成固体靶材,而后热处理,即制得靶材;用石英玻璃为衬底,以较低功率对靶材预溅射,然后升高射频功率,待机器各方面参数稳定一段时间,打开样片挡板开始沉积薄膜,沉积一定时间,地石英玻璃衬底表面上一层透明且发亮的沉积物即为TiO2/SiO2复合薄膜。本发明专利技术的优点:工艺可控性强,易操作,成本低,制得的产物纯度高。本发明专利技术所制备的产品具有广泛的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机材料二氧化钛/ 二氧化硅(Ti02/Si02)的制备,尤其是Ti02/Si02 复合薄膜的制备方法。
技术介绍
二氧化钛(TiO2)具有良好的光催化性和亲水性能,并由于其化学稳定性好、反应活性高,成本低而受青睐。光催化TiO2材料可用于降解有机物、杀菌消毒、污水处理、空气净化、防雾玻璃、自清洁玻璃等方面,已成为环保纳米材料研究开发的一个热点。但是,纯 TiO2表面暴露的活性位有限,在光催化降解过程中Ti02有效利用率受到限制。而采用Ti02/ SiO2复合光催化剂,不仅可以降低成本,并且在不损失有效光照的情况下,可以提高TiO2的表面活性位。这种Ti02/Si02复合薄膜能有效提高光催化活性、亲水性等性能。目前制备 Ti02/Si02复合薄膜的制备的方法主要有溶胶-凝胶(&)l-gel)法,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD),物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD),射频磁控溉射(Radio Frequency Magnetron Sputtering)等方法。在这些方法中,溶液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TiO2/SiO2复合薄膜的制备方法,其特征是包括如下步骤:(1)按Si/Ti摩尔比为1∶1的量,称取TiO2/SiO2复合纳米粉末,用玛瑙碾钵碾磨使复合纳米粉末混合均匀;用压片机将TiO2/SiO2复合粉末压制成直径为50-60mm的固体靶材,而后经580-620℃热处理3h以上,即制得Si/Ti比为1/1靶材;(2)将干净的石英玻璃衬底固定在样品托上,关好各气阀后抽真空,直至真空度达到1.0×10-4Pa以上,通入高纯气体氮气、氩气、或氦气,调节分子泵闸板阀,将气压调整到0.6Pa,打开射频源起辉,以小于60W的功率对靶材预溅射4-5分钟,然后升高射频功率至150-200W,打开样...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王顺利李培刚唐为华朱晖文刘洋溢
申请(专利权)人:浙江理工大学
类型:发明
国别省市:86

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1