【技术实现步骤摘要】
本技术关于一种电极结构,特别关于一种应用在太阳能电池的电极结构。
技术介绍
硅晶圆的生产供应已是相当成熟的技术,广泛使用在各种半导体产业中的电子 材料,再加上硅原子能隙适合吸收太阳光,使得硅晶太阳能电池成是目前使用最广泛的 太阳能电池。一般单晶硅或多晶硅太阳电池的构造包括下列几层外部电极、抗反射层 (Anti-reflectivelayer)、N 型与 P 型半导体层及背部电极(Back contact electrode)。当P型及N型半导体层互相接触时,N型半导体层内的电子会涌入P型半导体层 中,以填补其内的电洞。在P-N接面附近,因电子一电洞的结合形成一个载子空乏区,而P 型及N型半导体层中也因分别带有负、正电荷,因此形成一个内建电场。当太阳光照射到这 P-N结构时,P型和N型半导体层因吸收太阳光而产生电子一电洞对,经空乏区内建电场的 驱动下,在半导体内形成电子流动,若透过电极将电子引出,就可形成太阳能电池。外部电极的材料一般是镍、银、铝、铜及钯等金属的各种配合组合,且为了传导足 够的电子流量,电极与基板的间必须要有足够大的传导面积。然而,为降低外部电极 ...
【技术保护点】
一种电极结构,其特征在于,其设置于一太阳能电池的一基板,所述电极结构包括:多个汇流电极,间隔设置于所述基板;以及多个指状电极,配置在所述汇流电极的两侧,并与所述汇流电极电性相互连接;其中,所述指状电极的厚度大于所述汇流电极的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴孟修,戴煜暐,陈永芳,
申请(专利权)人:新日光能源科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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