本实用新型提出一种双面太阳能电池及其所构成的太阳能电池模块。双面太阳能电池包含太阳能电池基板、汇流电极、多个第一指状电极、多个第二指状电极及多个导电垫。汇流电极设置于太阳能电池基板的第一表面且沿第一方向延伸，汇流电极邻近太阳能电池基板的...

本发明提出一种太阳能电池，其包含一半导体基板，该半导体基板的背面设置有钝化层、汇流电极与背电极层。汇流电极经由钝化层的汇流电极开口电性连接于半导体基板的背面，背电极层则经由钝化层的第一开口群与第二开口群电性连接于半导体基板的背面。其中，...

一种太阳能电池，包含一半导体基板、一本征半导体层、一第二型半导体层、一透明导电层、一金属电极、一光反射单元以及一透明封装层。半导体基板具有一受光面，受光面包含一有效吸光区与一无效受光区。本征半导体层形成于受光面上。第二型半导体层形成于本...

一种太阳能电池，包含一半导体基板、一本征半导体层、一第二型半导体层、一透明导电层、一金属电极、一光反射单元以及一透明封装层。半导体基板具有一受光面，受光面包含一有效吸光区与一无效受光区。本征半导体层形成于受光面上。第二型半导体层形成于本...

本发明公开一种裂片装置及其裂片方法。裂片装置用以分裂一太阳能电池片，太阳能电池片的前表面开设有一沟槽，裂片装置的平台具有一表面，抵顶元件具有至少一沿一抵顶线分布并自表面凸伸出的抵顶单元。施压元件设有两个朝向平台突伸出的施力部。裂片方法中...

一种太阳能电池装置，包含一太阳能电池模块以及多个固定件。太阳能电池模块包含一太阳能电池以及多个识别标记。多个识别标记对称地设置于所述太阳能电池的边缘，并标示有用以指引将多个固定件与所述太阳能电池相组装固定的组装信息。多个固定件分别包覆所...

本发明公开一种凹缘集线式太阳能电池模块及其组成的阵列，凹缘集线式太阳能电池模块包含一第一基板、多个太阳能电池、多条汇流条、一第二基板、一绝缘单元及一集线盒。其中，第二基板与第一基板夹合太阳能电池，且第一基板的第一基板内侧面在第一基板的第...

一种太阳能电池，包含半导体基板以及设置于该半导体基板上的至少一汇流电极与多个指状电极。传统在利用网板印刷形成指状电极的过程中，可能发生错位的情况，使得指状电极未能连接于汇流电极。本实用新型通过使用图案化的银和铝来形成汇流电极，在不增加银...

本实用新型提出一种太阳能电池，其背面设置有彼此间隔排列的背面指状电极，各个背面指状电极与半导体基板电接触介面处形成有背电场区。其中每一背面指状电极至少覆盖二个背电场区，且每一背面指状电极所覆盖的背电场区的面积均相同。本实用新型可以在不减...

一种太阳能电池，包含一半导体基板、分别设置于半导体基板二表面的第一型掺质层与第二型掺质层、位于第一型掺质层上的第一钝化层、位于第一钝化层上的第一抗反射层、穿过第一抗反射层与第一钝化层的多个背面电极、位于第二型掺质层上的第二钝化层、位于第...

本发明公开了一种太阳能电池，包含半导体基板，具有第一表面及第二表面；一掺杂发射极层，位于第一表面上；一正面抗反射镀膜，设于第一表面上；一正面电极，设于抗反射层上；一钝化层，设于第二表面；一第一背面抗反射镀膜，设于钝化层上；一第二背面抗反...

本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，其中太阳能电池包含有一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面。第一表面具有一低反射率区域以及一蚀刻痕迹，其中蚀刻痕迹位于第一表面的周围，环绕着低反射率区域，形成一封闭图案，其中蚀刻痕迹的平均宽度小...

本发明公开一种漂浮式太阳能组件。漂浮式太阳能组件包含太阳能电池组件本体、挟持框与浮力提供单元。其中，挟持框设置在太阳能电池组件本体的周围。浮力提供单元连接于挟持框，且包含浮力调整单元与漂浮面。其中，浮力提供单元的漂浮面与液体接触。此外，...

本发明公开一种半导体基板，包含半导体本体、第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层与第一保护层。半导体本体具有第一表面与相对于第一表面的第二表面。第一缓冲层设置于半导体本体的第一表面上。第一非晶硅层掺杂有第一型掺质且设置于第一...

本发明公开了一种太阳能电池及其背面电极的制造方法，所述太阳能电池的背面电极的制造方法是先于一半导体基板上执行网印工艺，量测所述网印工艺中激光剥蚀刻痕与背面电极的偏移量，接着根据上述偏移量调整激光剥蚀刻痕的间距，使后续其他半导体基板在进行...

一种异质结硅晶太阳能电池及其制造方法，制造方法先提供一硅晶半导体基板，接着在硅晶半导体基板的第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上分别形成一第一掩模与一第二掩模；接着通过蚀刻气体去除硅晶半导体基板的侧壁表面的第一透明导电层...

一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一缓冲层、第二缓冲层、第二n型非晶半导体层、第二p型非晶半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法主要是将第一缓冲层的第一n型非晶半导体层与第二缓冲层的第一p型非晶半导体层分别设置...

一异质结太阳能电池包含掺杂型半导体基板、第一非晶半导体缓冲层、第一非晶半导体层、第二非晶半导体缓冲层、第二非晶半导体层、边缘保护层、第一透明导电层及第二透明导电层。第一非晶半导体缓冲层包覆掺杂型半导体基板的第一表面与侧壁。第一非晶半导体...

一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一n型缓冲层、第二n型缓冲层、第一非晶硅半导体层、第二非晶硅半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法首先是提供一半导体基板；接着在半导体基板的第一表面与第二表面上分别形成第一n型...

一种异质结太阳能电池及其制造方法，而异质结太阳能电池包含一太阳能电池本体、一第一图案化透明导电层以及一第二图案化透明导电层。其中，第一图案化透明导电层形成于第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，第一延伸包覆部部分地包覆住第一非...