太阳能电池制造技术

一种太阳能电池，包含一半导体基板、一本征半导体层、一第二型半导体层、一透明导电层、一金属电极、一光反射单元以及一透明封装层。半导体基板具有一受光面，受光面包含一有效吸光区与一无效受光区。本征半导体层形成于受光面上。第二型半导体层形成于本征半导体层上。透明导电层形成于第二型半导体层上。金属电极设置于透明导电层上。光反射单元设置于无效受光区，并具有一第一反射斜面。透明封装层设置于透明导电层、金属电极及光反射单元上。

Solar cell

A solar cell includes a semiconductor substrate, a semiconductor layer, a second type semiconductor layer, a transparent conductive layer, a metal electrode, a light reflection unit and a transparent encapsulation layer. The semiconductor substrate has a light surface, which contains an effective light absorption area and an ineffective light area. The intrinsic semiconductor layer is formed on the surface of the light. The second type semiconductor layer is formed on the intrinsic semiconductor layer. The transparent conductive layer is formed on the second type semiconductor layer. The metal electrode is set on the transparent conductive layer. The light reflection unit is set in an invalid light receiving area and has a first reflection slope. The transparent encapsulation layer is arranged on the transparent conductive layer, the metal electrode and the light reflection unit.

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池
本专利技术关于一种太阳能电池，尤指一种将光反射元件设置于无效受光区的太阳能电池。
技术介绍
请参阅图1与图2，图1显示现有技术的异质结太阳能电池的上视平面示意图；图2显示现有技术的异质结太阳能电池的结构示意图。如图所示，在现有的技术中，一般的异质结太阳能电池PA100主要由一结晶硅半导体基板PA1、一本征非晶硅半导体层PA2、一第二型非晶硅半导体层PA3、一透明导电层PA4、一金属电极PA5、一透明封装胶层PA6、一透明玻璃PA7以及一背电极PA8所组成，其中，在将透明导电层PA4形成于第二型非晶硅半导体层PA3上时，为了避免透明导电层PA4经由结晶硅半导体基板PA1的侧边电性连结至设置于结晶硅半导体基板PA1的背光侧的背电极PA8，通常在沉积形成透明导电层PA4时，会利用掩模遮蔽住结晶硅半导体基板PA1的周围，以避免透明导电层PA4经由边缘电性接触到背电极PA8而造成短路。承上所述，由于透明导电层PA4无法有效的收集到未覆盖部份所产生的电力，因此结晶硅半导体基板PA1会因为透明导电层PA4的设置而区分为可以有效收集电流的有效吸光区PA11与无法有效收集电流的无效受光区PA12。其中，由于无效受光区PA12在整个结晶硅半导体基板PA1的受光面占据了一定的面积，而当异质结太阳能电池PA100的设置数量越多时，无效受光区PA12的面积也会相对的增加，对于以有效受光面积来换取产电量的太阳能电池而言，越多的无效受光面积越会相对的减少电量的产能。
技术实现思路
有鉴于现有的异质结太阳能电池往往会因为透明导电层并未完全覆盖住非晶硅半导体层，导致无法有效的收集光电作用所产生的电流，相对了浪费了不少面积；缘此，本案专利技术人认为有必要提出一种新的太阳能电池，以有效的将无效受光区所接收的光线加以利用，进而提高整个太阳能电池的产电量。承上所述，本专利技术为解决现有技术的问题，所采用的必要技术手段是提供一种太阳能电池，包含一半导体基板、一本征半导体层、一第二型半导体层、一透明导电层、一金属电极、一光反射单元以及一透明封装层。半导体基板掺杂有一第一型半导体，且该半导体基板具有一受光面，该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区。本征半导体层形成于该受光面上。第二型半导体层形成于该本征半导体层上，且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体。透明导电层形成于该第二型半导体层上，并与该有效吸光区重叠，且该透明导电层具有一电极设置面。金属电极设置于该电极设置面上。光反射单元设置于该无效受光区，并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面。透明封装层设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上，且该透明封装层具有一与空气接触的空气界面。其中，当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束经由该第一反射斜面的反射而朝该有效吸光区的上方投射时，投射至该空气界面，再透过该空气界面的反射而朝向该透明导电层投射。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，该光反射单元具有一水平基准面，该水平基准面平行于该受光面，并与该第一反射斜面的底缘重叠，且该第一反射斜面与该水平基准面之间具有一第一倾斜角度，该第一倾斜角度为20度以上并小于45度。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，该光反射单元还包含一第二反射斜面，该第二反射斜面朝向该有效吸光区倾斜，并位于该第一反射斜面相对于该有效吸光区的另一侧，且该第二反射斜面与该水平基准面之间具有一第二倾斜角度，该第二倾斜角度为20度以上并小于89度。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，光反射单元还包含一第三反射斜面，该第三反射斜面位于该第一反射斜面与该第二反射斜面之间，并背向该有效吸光区倾斜，且该第三反射斜面与该水平基准面之间具有一第三倾斜角度，当该第三倾斜角度与该第二倾斜角度两倍的和大于90度时，该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于45度与70度之间。较佳者，该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于50度与65度之间。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，半导体基板为一结晶硅半导体基板，该本征半导体层为一本征非晶硅半导体层，该第二型半导体层为一第二型非晶硅半导体层。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，光反射单元形成于该第二型半导体层上，并位于该无效受光区中。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，本征半导体层形成于该受光面，并位于该有效吸光区中，该光反射单元形成于该受光面，并位于该无效受光区中。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，金属电极包含一汇流排电极本体，且该太阳能电池还包含一汇流电极光反射单元，该汇流电极光反射单元设置于该汇流排电极本体上。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，光反射单元黏结地设置于该无效受光区。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，第一反射斜面设有一反光镀膜。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，反光镀膜的组成至少包含铝、银、锡或其组合。本专利技术为解决现有技术的问题，所采用的另一必要技术手段是提供一种太阳能电池，包含一半导体基板、一本征半导体层、一第二型半导体层、一透明导电层、一金属电极、一光反射单元以及一透明封装层。半导体基板掺杂有一第一型半导体，且该半导体基板具有一受光面，该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区。本征半导体层形成于该受光面上。第二型半导体层形成于该本征半导体层上，且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体。透明导电层形成于该第二型半导体层上，并与该有效吸光区重叠，且该透明导电层具有一电极设置面。光反射单元设置于该无效受光区，并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面。透明封装层设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上。其中，当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束投射至该第一反射斜面时，该垂直入射光束透过该第一反射斜面的反射而朝向该透明导电层投射。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，该光反射单元具有一水平基准面，该水平基准面平行于该受光面，并与该第一反射斜面的底缘重叠，且该第一反射斜面与该水平基准面之间具有一第一倾斜角度，该第一倾斜角度为20度以上并小于45度。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，该光反射单元还包含一第二反射斜面，该第二反射斜面朝向该有效吸光区倾斜，并位于该第一反射斜面相对于该有效吸光区的另一侧，且该第二反射斜面与该水平基准面之间具有一第二倾斜角度，该第二倾斜角度为20度以上并小于89度。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，光反射单元还包含一第三反射斜面，该第三反射斜面位于该第一反射斜面与该第二反射斜面之间，并背向该有效吸光区倾斜，且该第三反射斜面与该水平基准面之间具有一第三倾斜角度，当该第三倾斜角度与该第二倾斜角度两倍的和大于90度时，该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于45与70度之间。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，半导体基板为一结晶硅半导体基板，该本征半导体层为一本征非晶硅半导体层，该第二型半导体层为一第二型非晶硅半导体层。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，光反射单元形成于该第二型半导体层上，并位于该无效受光区中。由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段中，本征半导体层形成于该受光面，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一太阳能电池，包含：一半导体基板，掺杂有一第一型半导体，且该半导体基板具有一受光面，该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区；一本征半导体层，形成于该受光面上；一第二型半导体层，形成于该本征半导体层上，且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体；一透明导电层，形成于该第二型半导体层上，并与该有效吸光区重叠，且该透明导电层具有一电极设置面；一金属电极，设置于该电极设置面上；一光反射单元，设置于该无效受光区，并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面；以及一透明封装层，设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上，且该透明封装层具有一与空气接触的空气界面；其中，当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束经由该第一反射斜面的反射而朝该有效吸光区的上方投射时，投射至该空气界面，再透过该空气界面的反射而朝向该透明导电层投射。

【技术特征摘要】
2016.07.15 TW 1051223631.一太阳能电池，包含：一半导体基板，掺杂有一第一型半导体，且该半导体基板具有一受光面，该受光面包含一有效吸光区与一环绕该有效吸光区的无效受光区；一本征半导体层，形成于该受光面上；一第二型半导体层，形成于该本征半导体层上，且该第二型半导体层掺杂有一第二型半导体；一透明导电层，形成于该第二型半导体层上，并与该有效吸光区重叠，且该透明导电层具有一电极设置面；一金属电极，设置于该电极设置面上；一光反射单元，设置于该无效受光区，并具有一朝向该有效吸光区倾斜的第一反射斜面；以及一透明封装层，设置于该透明导电层、该金属电极以及该光反射单元上，且该透明封装层具有一与空气接触的空气界面；其中，当一沿一垂直于该受光面的入射方向投射的垂直入射光束经由该第一反射斜面的反射而朝该有效吸光区的上方投射时，投射至该空气界面，再透过该空气界面的反射而朝向该透明导电层投射。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该光反射单元具有一水平基准面，该水平基准面平行于该受光面，并与该第一反射斜面的底缘重叠，且该第一反射斜面与该水平基准面之间具有一第一倾斜角度，该第一倾斜角度为20度以上并小于45度。3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，该光反射单元还包含一第二反射斜面，该第二反射斜面朝向该有效吸光区倾斜，并位于该第一反射斜面相对于该有效吸光区的另一侧，且该第二反射斜面与该水平基准面之间具有一第二倾斜角度，该第二倾斜角度为20度以上并小于89度。4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，该光反射单元还包含一第三反射斜面，该第三反射斜面位于该第一反射斜面与该第二反射斜面之间，并背向该有效吸光区倾斜，且该第三反射斜面与该水平基准面之间具有一第三倾斜角度，当该第三倾斜角度与该第二倾斜角度两倍的和大于90度时，该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于45度与70度之间。5.如权利要求4所述的太阳能电池，其中，该第三倾斜角度与该第二倾斜角度的和介于50度与65度之间。6.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该半导体基板为一结晶硅半导体基板，该本征半导体层为一本征非晶硅半导体层，该第二型半导体层为一第二型非晶硅半导体层。7.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该光反射单元形成于该第二型半导体层上，并位于该无效受光区中。8.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该本征半导体层形成于该受光面，并位于该有效吸光区中，该光反射单元形成于该受光面，并位于该无效受光区中。9.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该金属电极包含一汇流排电极本体，且该太阳能电池还包含一汇流电极光反射单元，该汇流电极光反射单元设置于该汇流排电极本体上。10.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该光反射单元黏结地设置于该无效受光区。11.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，该第一反射斜面设有一反光镀膜。12.如权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁兆民，
申请(专利权)人：新日光能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71