【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种异质结太阳能电池及其制造方法,尤指一种利用第一图案化透明导电层的第一延伸包覆部包覆第一非晶硅半导体层以增加光电转换效率的异质结太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
请参阅图1,图1显示先前技术的异质结硅晶太阳能电池剖面示意图。如图所示,一异质结硅晶太阳能电池PA100包含一太阳能电池本体PA1、一透明导电层PA2、一第一电极PA3以及一第二电极PA4。太阳能电池本体PA1包含一硅晶半导体层PA11、一第一本征非晶硅半导体层PA12、一第一非晶硅半导体层PA13、一第二本征非晶硅半导体层PA14以及一第二非晶硅半导体层PA15。第一本征非晶硅半导体层PA12与第二本征非晶硅半导体层PA14分别形成于硅晶半导体层PA11的两面上,而第一非晶硅半导体层PA13与第二非晶硅半导体层PA15则分别形成在第一本征非晶硅半导体层PA12与第二本征非晶硅半导体层PA14上,最后透明导电层PA2再整个形成在第一非晶硅半导体层PA13与第二非晶硅半导体层PA15外围。而第一电极PA3与第二电极PA4是分别设置在透明导电层PA2的两侧,以用来收集电流。其中,为了避免上下两侧的透明导电层PA2产生短路,通常会在透明导电层PA2的第一绝缘处PA21与第二绝缘处PA22利用激光切割的方式,使透明导电层PA2分割成两个部份,而第一电极PA3与第二电极PA4便可分别收集载子而不会产生漏电流。请参阅图2图2 ...
【技术保护点】
一种异质结太阳能电池,包含:一太阳能电池本体,包含:一半导体基板,具有相对设置的一第一表面与一第二表面,且所述半导体基板掺杂有一第一半导体;一第一本征非晶硅半导体层,设置于所述第一表面上;一第一非晶硅半导体层,设置于所述第一本征非晶硅半导体层上,并掺杂有一第二半导体;一第二本征非晶硅半导体层,设置于所述第二表面上;以及一第二非晶硅半导体层,设置于所述第二本征非晶硅半导体层上,并掺杂有一第三半导体;一第一图案化透明导电层,形成于所述第一非晶硅半导体层上,并具有多个第一延伸包覆部,所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半导体层的边缘;以及一第二图案化透明导电层,形成于所述第二非晶硅半导体层上,且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区,借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘。
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池,包含:
一太阳能电池本体,包含:
一半导体基板,具有相对设置的一第一表面与一第二表面,且所述半导体
基板掺杂有一第一半导体;
一第一本征非晶硅半导体层,设置于所述第一表面上;
一第一非晶硅半导体层,设置于所述第一本征非晶硅半导体层上,并掺杂
有一第二半导体;
一第二本征非晶硅半导体层,设置于所述第二表面上;以及
一第二非晶硅半导体层,设置于所述第二本征非晶硅半导体层上,并掺杂
有一第三半导体;
一第一图案化透明导电层,形成于所述第一非晶硅半导体层上,并具有多
个第一延伸包覆部,所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半导体
层的边缘;以及
一第二图案化透明导电层,形成于所述第二非晶硅半导体层上,且所述第
二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通
的边缘暴露区,借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电
层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘。
2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池,其中,所述边缘暴露区的形状
为长方形、正方形、弧形、不规则形、环形或其组合。
3.如权利要求1所述的异质结太阳能电池,其中,所述第二图案化透明导
电层具有多个第二延伸包覆部,所述第二延伸包覆部至少包覆住部分所述第二
非晶硅半导体层的边缘。
4.如权利要求3所述的异质结太阳能电池,其中,所述第一延伸包覆部与
所述第二延伸包覆部交错地排列。
5.如权利要求1所述的异质结太阳能电池,其中,所述第一图案化透明导
电层的边缘与所述第二图案化透明导电层的边缘图案为互补。
6.如权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法,其中,所述第一半
导体为一第一型半导体,所述第二半导体与所述第三半导体其中一个为一第一
\t型半导体,另一个为一第二型半导体。
7.如权利要求6所述的异质结太阳能电池的制作方法,其中,所述第一型
半导体为N型半导体,所述第二型半导体为P型半导体。
8.如权利要求6所述的异质结太阳能电池的制作方法,其中,所述第一型
半导体为P型半导体,所述第二型半导体为N型半导体。
9.一种异质结太阳能电池的制作方法,包括以下步骤:
(a)制备一半导体基板,所述半导体基板掺杂有一第一半导体;
(...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁兆民,杨伯川,阮信晓,
申请(专利权)人:新日光能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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