【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法，以电阻率为0.5-12ohm*cm的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极，背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜和蒸镀铝层，所述氮化硅钝化膜上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层通过氮化硅钝化膜与硅基体局域接触。本专利技术通过采用将背钝化与金属化区域局域接触相结合，具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益。【专利说明】-种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于光伏
，具体涉及一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方 法。
技术介绍
相对于P型硅片，N型硅片具有更高的少数载流子寿命，且对金属杂质的敏感性较 弱，另外对于基体中没有人为掺杂的硼原子，不会形成硼氧复合对，所以N型电池无光致衰 减，上述原因使N型硅片成为高校晶硅电池宠儿，但有利有弊，N型硅片的工艺制程相对比 较复杂，制备成本比较高，所以目前产业化的仍旧是P型电池。 目前，背钝化电池技术在P型电池上已经较为成熟，但在N型电...
【技术保护点】
一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：以电阻率为0.5‑12 ohm•cm 的N型硅片作为基体，正面设有硼扩散（3）P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极（1），背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜（5）和蒸镀铝层（6），所述氮化硅钝化膜（5）上设有点阵或者线阵型镂空，所述蒸镀铝层（6）通过氮化硅钝化膜（6）与硅基体（4）局域接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏正月，高艳涛，崔会英，钱亮，何锐，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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