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本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法,以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体,正面设有硼扩散P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极,背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜和蒸镀铝层,所述氮化硅钝化膜上设有点阵或者线阵...该专利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥特斯维能源(太仓)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法,以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体,正面设有硼扩散P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极,背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜和蒸镀铝层,所述氮化硅钝化膜上设有点阵或者线阵...