【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池，特别涉及一种太阳能电池的正面栅电极。
技术介绍
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点，太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转换为电能的主要器件。常见的晶体硅太阳能电池是由背面电极、半导体材料构成的P型层、N型层、P-N 结、减反射薄膜、正面栅电极等部分构成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳光能后，激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P-N结自建电场分开，电子流入N区， 空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太阳电池的正、负电极与外部电路连接，外部电路中就有光生电流流过。太阳能电池结构中的正面栅电极起到收集光生载流子的作用， 但由于该层常由不透光的金属材料制成，它的存在会减小电池表面的透光面积，因此当前的工艺设计理念是在保证正面栅电极良好欧姆接触的前提下，尽可能的减小栅电极线宽和所有栅电极线所占的总面积。目前多数的晶硅太阳能电池采用P型硅片，经...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池的正面栅电极，所述正面栅电极分布在太阳能电池片表面，所述正面栅电极包括主栅线以及与所述主栅线连接的副栅线，其特征在于，所述副栅线呈网状分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，陈清波，冯帅臣，孙坚，高利军，宋金德，
申请(专利权)人：江苏伯乐达光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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