新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜，它是由基板、过渡层、ITO层和ZnO基薄膜层组成；其中所述的基板为超白玻璃；所述的过渡层为SiO2或者SiNx；所述的ITO层为Sn掺杂的In2O3薄膜；所述的ZnO基薄膜层掺杂的元素为Al、Ga或Zr中的一种或多种。本发明专利技术的多层膜结构中，在ITO薄膜上沉积掺杂的ZnO基薄膜层，该结构的透明导电氧化物薄膜具有更好的光电性能、更低的材料成本、在氢等离子环境中更加稳定，非常适合用于薄膜太阳能电池领域。本发明专利技术同时提出了一种新的制备方法，用以制备这种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜，制备方法中利用了湿法工艺，最终在薄膜的表面形成绒面结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏发电
，涉及薄膜太阳能电池重要组成部分的开发研究工作，更具体的是一种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜(TCO)及其制备方法。
技术介绍
尽管晶硅电池还是目前光伏市场的主流产品，但是随着光伏发电技术的发展，薄膜太阳电池逐渐产业化，透明导电氧化物薄膜(TCO)作为薄膜太阳电池中必不可少的一部分，在高效率低成本的太阳能电池研究与生产中占有相当重要的地位。因为薄膜太阳电池的前电极采用的是透明导电氧化物(TCO)玻璃，它的性能对于电池的转换效率有着至关重要的作用。太阳电池要求前电极具有极低的光损失，高透过率和高电导率，并且具有很好的陷光作用。陷光结构具体表现在薄膜表面形成一定的绒面，具有一定的粗糙度，通过对光折射和散射，将入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而增加入射光在太阳电池中的光程，提高光的吸收，最终获得太阳电池的高光电转换效率。透明导电薄膜要求所选用的半导体材料在可见光区具有高的光穿透性，其材料的带隙宽度大于3eV ；此外，还要求所选材料具有高的电导率，大约在IO4 Q-1Cm1左右。近年来，透明导电薄膜的材料主要集中在金属氧化物半导体，如Sn02、Ιη203本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜，包括基板（１）、过渡层（２）、ＩＴＯ层（３）和ＺｎＯ基薄膜层（４）；其特征在于：过渡层（２）设于基板（１）和ＩＴＯ层（３）之间，ＺｎＯ基薄膜层（４）设于顶层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：竺云，李德军，
申请(专利权)人：天津师范大学，
类型：发明
国别省市：12