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本发明公开了一种新型多层膜结构的透明导电氧化物薄膜，它是由基板、过渡层、ITO层和ZnO基薄膜层组成；其中所述的基板为超白玻璃；所述的过渡层为SiO2或者SiNx；所述的ITO层为Sn掺杂的In2O3薄膜；所述的ZnO基薄膜层掺杂的元素为A...
该专利属于天津师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津师范大学授权不得商用。

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