【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，特指一种应用nC-Si:H和SiNx构成超晶格纳米量子阱材料的新型太阳电池。
技术介绍
太阳能光伏发电是清洁可再生能源中备受青睐和期待的能源技术，从能量转换效率、生产成本、器件使用寿命和实际应用领域等方面综合评价，Si基太阳电池无疑具有明显优势，并一直占据着主导发展地位，而Si基太阳电池中，p-n结单晶Si太阳电池的转换效率最高，技术也最为成熟，但是，由于制作这类太阳电池需要消耗大量Si材料，所以如何以相对较低材料消耗，实现高转换效率的Si基太阳电池便成为摆在人们面前的一项重要课题。此后，非晶硅、微晶硅、多晶硅等薄膜太阳电池应运而生。如果将晶体硅太阳电池称为第一代硅基太阳电池的话，那么上述薄膜太阳电池可称之为第二代PIN硅薄膜太阳电池。PIN硅薄膜太阳电池虽然在材料损耗等因素上，大大降低了电池生产成本，但在转换效率上未继承第一代硅基太阳电池优势，因此为使太阳能被更多人接受，必须降低第一代硅基太阳电池生产成本和提高第二代硅基太阳电池转换效率。分析第一代和第二代太阳电池存在的问题，可归纳为以下三个主要方面第一，由于硅基材料制备工艺水平的限制，...
【技术保护点】
１．ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＮｘ超晶格量子阱太阳电池，按入射光线的方向依次包括玻璃衬底、ＴＣＯ透明电极、ｐ＋欧姆接触层、ｐ层、ｎ层、ｎ＋欧姆接触层和ＺｎＯ／Ａｌ背电极，其特征在于：在ｐ层和ｎ层之间沉积有ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ／ＳｉＮｘ超晶格量子阱，Ｎｃ－Ｓｉ和ＳｉＮｘ的厚度通过控制薄膜生长时间进行控制，每层ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ或ＳｉＮｘ的厚度控制在９±０．５ｎｍ，量子阱周期为４５±５。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭立强，丁建宁，卢超，程广贵，祝俊，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：32
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