【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种光伏电池的新结构，属于太阳能光伏领域。
技术介绍
光伏电池作为一种直接利用太阳能的光电转换器件，一直在向两个方向发展，一 个是降低光伏电池的生产成本，另一个是提高光伏电池的光电转换效率。同时，光伏电池的 稳定性也是一个值得关注的问题。晶体硅光伏电池具有光电转换效率高，生产技术成熟的优点，一直以来占据光伏 电池世界总产量的80%以上。但是传统的晶体硅光伏电池生产时需要在高温长时间进行， 高温工艺可能会使硅材料产生更多的缺陷，会限制到电池效率的提高，而且高温过程中若 有污染会极大降低电池的效率，对材料和生产环境都提出了较高的要求；同时，高温环境会 增加电池的生产成本。晶体硅光伏电池目前的现状是光电转换效率较高，但成本也过高。 于是人们转向研究非晶硅光伏电池，非晶硅光伏电池解决了生产温度的问题，它可以在低 温下生产，同时因为非晶硅的光学吸收系数大，电池所需的厚度很薄，节约了生产材料，从 而降低了电池的生产成本。但是非晶硅光伏电池的效率相对较低，同时，非晶硅光伏电池又 面临一个光致退化的问题，即非晶硅光伏电池的光电转换效率会随着光照时间的增加而降...
【技术保护点】
１．一种纳米硅／晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：电池的叠层顺序从上至下依次设置为：正面银电极、正面ＴＣＯ导电薄膜、ｐ型重掺杂纳米硅层即ｐ＋层、ｐ型轻掺杂纳米硅层即ｐ层、ｐ型轻扩散晶体硅层即ｐ－层、ｎ型晶体硅层、本征纳米硅层即ｉ层、ｎ型纳米硅层、背面ＴＣＯ导电薄膜、背面银电极；或者是正面银电极、正面ＴＣＯ导电薄膜、ｎ型重掺杂纳米硅层即ｎ＋层、ｎ型轻掺杂纳米硅层即ｎ层、ｎ型轻扩散晶体硅层即ｎ－层、ｐ型晶体硅层、本征纳米硅层即ｉ层、ｐ型纳米硅层、背面ＴＣＯ导电薄膜、背面银电极，其中掺杂浓度：ｐ＋层＞ｐ层＞ｐ－层，ｎ＋层＞ｎ层＞ｎ－层。
【技术特征摘要】
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