一种浅结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种浅结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，钝化层位于晶硅的上面，金属栅电极位于钝化层的上面，晶硅包括有ＰＮ结，ＰＮ结的深度为１０纳米到２００纳米。所述制备方法包括：对晶硅进行预处理；利用等离子体浸没离子注入工艺，在晶硅上制备ＰＮ结，并对ＰＮ结进行钝化处理，形成钝化层；分别在晶硅的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅电极。本发明专利技术提供的浅结太阳能电池，能够缩短载流子的传输路径，使光电转换效率提高，并且制备方法简单可控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池器件制造
，特别涉及一种浅结太阳能电池及其制 备方法。
技术介绍
面对当前的能源危机和化石类燃料的大量耗用所引发的温室效应、酸雨等环境问 题，迫切需要在世界范围内开发和有效利用新能源。太阳能是一种取材方便、绿色环保的可 再生能源。在不远的将来，太阳能将成为世界能源供应的主体。太阳能电池作为一种清洁 高效的绿色可持续能源，将为太阳能的有效利用提供更广阔的前景，但是目前的太阳能电 池的光电转换效率相当低，一般都在20%以下，因此，如何提高太阳能电池光电转换效率是 当前技术人员需要解决的难题之一。常规制备的太阳能电池是用普通扩散法制造的注入硅太阳能电池，其结深约 0. 5 μ m，扩散电阻R约为35 Ω / □左右。例如，以η+ρ结为例，η+磷扩散杂质分布不是典型 的余误差函数分布，在表面附近具有几乎恒定的浓度，其数值取决于在磷扩散温度下磷在 硅中的固溶度，因而，其表面是重掺杂层。由于重掺杂效应以及严重的晶格缺陷和畸变，此 重掺杂层成为载流子的复合中心，使得该层少子寿命极低，所以称该层为“复合层”。由于 “复合层”的存在，光生载流子可能会提前在此复合，从而无本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种浅结太阳能电池，其特征在于所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；所述金属背电极位于所述晶硅的背面，所述钝化层位于所述晶硅的上面，所述金属栅电极位于所述钝化层的上面，所述晶硅包括有PN结，所述PN结的深度为10纳米到200纳米。2.根据权利要求1所述的浅结太阳能电池，其特征在于所述晶硅表面为平面或曲面， 所述PN结的界面为与所述晶硅表面相类似的平面或曲面。3.根据权利要求1所述的浅结太阳能电池，其特征在于所述晶硅表面为由平面和曲 面构成的复合面，所述PN结的界面为与所述晶硅表面相类似的复合面。4.根据权利要求2或3所述的浅结太阳能电池，其特征在于所述晶硅为单晶硅或 多晶硅；所述金属背电极由铝、铜、银、金或钼制成；所述金属栅电极由铝、铜、银、金或钼制 成。5.根据权利要求4所述的浅结太阳能电池，其特征在于所述金属背电极的厚度为 10 15微米；所述晶硅的厚度为100 300微米；所述钝化层的厚度为50 200纳米；所 述金属栅电极的厚度为2 10微米，所述金属栅电极的宽度为30 150微米，间距为2 3毫米。6.一种浅结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括对晶硅进行预处理；利用等离子体浸没离子注入工艺，在所述晶硅上制备PN结，并对所述PN结进行钝化处 理，形成钝化层；分别在所述晶硅的背面和所述钝化层上制备金属背电极和金属栅电极。7.根据权利要求6所述的浅结太阳能电池的制备方法，其特征在于所述对晶硅进行 预处理的步骤包括对晶硅进行清洗、去损伤或制绒。8.根据权利要求6所述的浅结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述利用等离子 体浸没离子注入工艺，在所述晶硅上制备PN...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，刘邦武，李超波，刘杰，汪明刚，李勇滔，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：11