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本发明公开了一种浅结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述浅结太阳能电池包括金属栅电极、钝化层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，钝化层位于晶硅的上面，金属栅电极位于钝化层的上面，晶硅包括有ＰＮ结，ＰＮ结的深...该专利属于中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司授权不得商用。