CIGS太阳能光电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CIGS太阳能光电池，其包括：导电衬底；CIGS活性层，n型半导体层，该n半导体层制作在所述CIGS活性层上，并与之形成pn结；窗口层，该窗口层制作在所述n型半导体层用来保护所述N型半导体层；透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上。该CIGS太阳能光电池的CIGS活性层采用三阶段式的溶液法不仅具有溶液制备法的便宜快捷的优点，而且可优化CIGS活性层的组分比，极大的提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件领域，涉及到一种新的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se)(简称CIGQ薄膜太阳能电池以及这种薄膜电池的制备方法。
技术介绍
随着能源危机的日趋严重，可再生能源越来越受到人们的重视。而其中，太阳光能以其取之不尽，清洁无污染成为最具潜力的技术。硅基太阳能技术是目前最为成熟的，也是市场占有率最高的，但是受制于高耗能、高污染的制备过程，使其并不能成为最理想的太阳能技术。近年来，薄膜太阳能技术开始兴起，具有重量轻、成本低、易安装等优点。CIGS则是薄膜太阳能技术中效率最高的)，其制备过程采用三阶段式的溅射/硒化方法， 主要是为了创造V型能带结构和η型表面结构从而提高器件的整体效率。V型能级结构比一般的渐进式能级结构在长波区有更高的外量子效率，从而可提高器件的短路电流，而且还有更高的开路电压。而η型表面结构更有利于光生激子的解离以及输出，因此三阶段式的制备方法极大提高了 CIGS器件的性能。不过由于CIGS是多元化合物，如利用真空沉积技术，不管是溅射/硒化，还是共蒸发，都有过程复杂，难规模化的问题。最近NAN0S0LAR和 IBM的研究组分别开发了利用溶液法来制备C本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＣＩＧＳ太阳能光电池，其特征在于，其包括：导电衬底；ＣＩＧＳ活性层，该ＣＩＧＳ活性层制备在所述导电衬底上，主要作为吸光层，ｎ型半导体层，该ｎ半导体层制作在所述ＣＩＧＳ活性层上，并与之形成ｐｎ结，可有效增大光生激子的解离和输出；窗口层，该窗口层制作在所述ｎ型半导体层用来保护所述Ｎ型半导体层；透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上，具有采集光生光流的作用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱磊，谢承智，张智恒，刘德昂，顾龙棣，
申请(专利权)人：苏州瑞晟太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32