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本发明涉及太阳电池，特指一种应用nc-Si:H和SiNx构成超晶格纳米量子阱材料的新型太阳电池，利用纳米硅的带隙可调性和结合多氮化硅的良好势垒特性制备了nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池，此种电池的超晶格量子阱材料中，极薄的nc-...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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