The invention discloses a solar cell, which comprises a semiconductor substrate, a doped layer, a quantum well layer, a first passivation layer, a second passivation layer, a first electrode and a second electrode. The semiconductor substrate has a front surface as well as a rear surface, and the front surface of the semiconductor substrate is a nano column. The doped layer is covered on the surface of the nano column. The electrode layer covers the doped layer. The quantum well layer is located on the semiconductor substrate, and the quantum well layer has at least a first doped region and at least a second doped region, wherein the quantum well layer includes polycrystalline germanium (Si1-xGex). The first passivation layer covers the first doped region of the quantum well layer. The second passivation layer covers the second doped region of the quantum well layer. The first electrode and the second electrode are electrically connected to the first doped region of the quantum well layer and the second doped region, respectively.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池，且特别是涉及一种背接触式太阳能电池(back side contact solar cell)。
技术介绍
硅基太阳能电池为业界常见的一种太阳能电池。硅基太阳能电池的原理是将高纯 度的半导体材料(硅)加入掺杂物使其呈现不同的性质，以形成P型半导体及η型半导体， 并将ρ-η两型半导体相接合，如此即可形成ρ-η结面。当太阳光照射到一个ρ-η结构的半导 体时，光子所提供的能量可能会把半导体中的电子激发出来产生电子-空穴对。通过电极 的设置，使空穴往电场的方向移动并使电子往相反的方向移动，如此即可构成太阳能电池。一般来说，随着太阳能电池的半导体材料的厚度越薄，太阳能电池的前表面的入 射光量以及后表面的光吸收量就会越少。因此，在薄化太阳能电池的发展趋势之下，如何增 加太阳能电池的光吸收量将成为研发的重点之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种太阳能电池，其可以增加太阳能电池的光吸收量，以增加太阳能 电池的效率。本专利技术提出一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、前抗反射层、辅助钝化 层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、背反射层、至少一第一电...
【技术保护点】
１．一种太阳能电池，包括：半导体基底，其具有前表面以及后表面，其中该半导体基底的该前表面具有多个纳米柱；掺杂层，覆盖在该多个纳米柱的表面；量子阱层，位于该半导体基底上，该量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中该量子阱层包括第一多晶硅化锗Ｓｉ１－ｘＧｅｘ；第一钝化层，覆盖该量子阱层的该第一掺杂区；第二钝化层，覆盖该量子阱层的该第二掺杂区；以及至少一第一电极以及至少一第二电极，分别与该量子阱层的该第一掺杂区以及该第二掺杂区电性连接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡雁程，陈芃，梁硕玮，吴振诚，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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