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本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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