The present invention provides an electron emission element comprises a first electrode; insulating fine layer, formed on the first electrode and the second electrode structure and fine insulation; and formed on the insulating layer on the fine, fine insulation layer is arranged is formed on the surface of the concave surface, the face of the second electrode. Each sag depth is less than the thickness of the insulation layer of fine, and when the voltage applied between the first electrode and the second electrode, the first electrode from the electron in the insulating layer so as to accelerate the fine, after second electrode emission.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种响应于施加电压而发射电子的电子发射元件;以及用于制造该电子发射元件的方法。
技术介绍
包括Spindt型电极和碳纳米管(CNT)电极的电子发射元件是已知的传统电子发射元件。已经研究了将这样的传统电子发射元件应用于例如场致发射显示器(FED)领域。 通过由大约lGV/m的强电场产生的隧道效应而导致这样的电子发射元件发射电子,其中通过对尖头部分施加电压而形成该强电场。然而,这两种类型的电子发射元件在电子发射部分的表面附近具有强电场。因此, 发射的电子由于电场而获得了大的能量,从而更加可能使气体分子电离。由于气体分子的电离而产生的阳离子由于强电场而朝向元件表面加速并与其碰撞。这导致了元件由于溅射而击穿的问题。此外,因为大气中的氧气具有的离解能比电离能低,所以在产生离子之前产生臭氧。臭氧对人体有害,并且由于其强氧化能力而使各种物质氧化。这导致了元件周围的部件被损坏的问题。为了防止该问题,元件周围的部件限于对臭氧具有高抵抗力的材料。根据这样的
技术介绍
,作为其他类型的电子发射元件,已经研发了 MIM(金属绝缘体金属)型和MIS(金属绝缘体半导体)型的电子发 ...
【技术保护点】
1.一种电子发射元件,其包括:第一电极;绝缘细粒层,其被形成在所述第一电极上并且由绝缘细粒构成;以及第二电极,其被形成在所述绝缘细粒层上,其中所述绝缘细粒层被设置有在其表面中形成的凹陷,所述表面面对所述第二电极,每个所述凹陷具有的深度小于所述绝缘细粒层的厚度,并且当电压被施加在所述第一电极与所述第二电极之间时,从所述第一电极提供的电子在所述绝缘细粒层中加速,从而经过所述第二电极而发射。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:平田佳奈子,平川弘幸,长冈彩绘,井村康朗,岩松正,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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