ＣＤＭ　ＥＳＤ保护电路制造技术

本发明专利技术提供了一种ＣＤＭ　ＥＳＤ保护电路，用于对功能单元进行保护；包括第一级ＥＳＤ保护单元、低电压触发保护单元、第二级ＥＳＤ保护单元和局部ＥＳＤ保护单元，其中低电压触发保护单元第一端耦接至所述输入／输出引脚，第二端耦接至所述衬底，当所述衬底的电位小于所述输入／输出引脚的电位超过第二特定电压时，则所述低电压触发保护单元工作。从而提高了ＣＤＭ　ＥＳＤ保护电路的性能。

CDM ESD protection circuit

The invention provides a CDM ESD protection circuit for protection of the functional units; including the first level ESD protection unit, low voltage trigger protection unit, second ESD protection units and local ESD protection unit, the low voltage trigger protection unit of the first end is coupled to the input / output pin, second terminal coupled to the substrate, when the substrate potential is smaller than that of the input / output pin potential of more than second specific voltage, the low voltage trigger protection unit. Thus, the performance of CDM ESD protection circuit is improved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电放电(ESD)电路，特别涉及一种CDM ESD保护电路。
技术介绍
集成电路(IC)在制造、装配和测试或在最终的应用中，很容易遭受到制造或者使 用过程中的破坏性静电放电(ESD)，从而使得集成电路受到静电的损伤。ESD通常由高压电势(例如几千伏)放电产生，并且导致短持续时间(例如100ns) 高电流的脉冲。ESD通常分为三类，第一类是由于人与IC接触产生，通常对应该类型的ESD 可以制作HBM(human body model)类型的ESD保护电路；第二类是由于机械设备与IC的接 触而产生，通常对应该类型的ESD可以制作匪(machine model)类型的ESD保护电路；第三 类是由于IC自身的带电而产生，其放电可以通过IC的单个引脚发生，这种类型的ESD可以 制作CDM(charged-device-model)类型的ESD保护电路来进行放电保护。第一类型和第二类型的ESD保护电路通常通过和IC输入/输出引脚耦接的放电 电路实现，从而将IC输入/输出引脚上的静电释放掉，减小IC静电对内部的功能单元的损 伤。而对于第三类型ESD，电荷通常积聚在衬底内，因此CD本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＣＤＭ　ＥＳＤ保护电路，包括电源线、衬底和输入／输出引脚，用于对功能单元进行保护；功能单元通过电阻与所述输入／输出引脚耦接；其特征在于，ＣＤＭ　ＥＳＤ保护电路还包括：第一级ＥＳＤ保护单元，其第一端耦接至所述输入／输出引脚，第二端耦接至电源线，当所述电源线的电位比所述输入／输出引脚的电位高第一特定电压时，则所述第一级ＥＳＤ保护单元工作；低电压触发保护单元，其第一端耦接至所述输入／输出引脚，第二端耦接至所述衬底，当所述衬底的电位小于所述输入／输出引脚的电位超过第二特定电压时，则所述低电压触发保护单元工作；第二级ＥＳＤ保护单元，其第一端通过电阻耦接至所述输入／输出引脚，第二端耦接至所述电源线...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单毅，唐成琼，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]