ESD保护电路和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了ＥＳＤ保护电路和半导体器件。静电放电保护电路具有双极晶体管，其包括：第一导电型的第一扩散层，该第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；第二导电型的第二扩散层，该第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及第二导电型的第三扩散层，该第二导电型的第三扩散层与输入／输出焊盘相连接并且用作发射极。第三扩散层的与第一扩散层相对的第一区域的面积大于第二扩散层的与第一扩散层相对的第二区域的面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于保护内部电路不受ESD (静电放电)影响的 ESD保护电路。
技术介绍
近年来，已经在各个领域中要求改进半导体器件的可靠性。例如， 尤其地，如在用于车载导航系统和医用液晶监视器的驱动器电路中， 在由于故障影响人类生活的产品中使用的半导体器件中要求有较高的 可靠性。为了在这些产品中实现高可靠性，必须增加对于来自外部的 过电压(或者ESD)的抵抗性。更具体地，已经要求具有高ESD抵抗 性的半导体器件。用于增强LSI (大规模集成电路)中的ESD抵抗性的传统技术包 括被放置在LSI芯片的外围中的保护电路(即，ESD保护电路)。ESD 保护电路通过改变从外部输入的ESD的电流路径防止LSI的内部元件 被损坏。图1示出被提供有ESD保护电路和电源保护电路的LSI (或者半 导体器件)的等效电路的示例。参考图1， LSI包括用于输入/输出外部 信号的输入/输出焊盘101、要被连接至高电位电源VDD的VDD互连 102、要被连接至低电位电源VSS的VSS互连103、ESD保护电路110、 电源保护电路120、以及内部电路130。ESD保护电路110被提供有被连接至输入/输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括双极晶体管的静电放电保护电路，包括：　第一导电型的第一扩散层，所述第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；　第二导电型的第二扩散层，所述第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及　第二导 电型的第三扩散层，所述第二导电型的第三扩散层与输入／输出焊盘相连接并且用作发射极，　其中所述第三扩散层的与所述第一扩散层相对的第一区域的面积大于所述第二扩散层的与所述第一扩散层相对的第二区域的面积。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高桥幸雄，吉田浩介，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]