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ESD保护电路和半导体器件制造技术
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文档序号:3908663
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本发明提供了ESD保护电路和半导体器件。静电放电保护电路具有双极晶体管,其包括:第一导电型的第一扩散层,该第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极;第二导电型的第二扩散层,该第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极;以...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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