The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor interconnect structure, which comprises the following steps: for intermediate structure semiconductor interconnect structure, the intermediate structure at least comprises a dielectric layer formed by low k material and / or ultra low k materials, etching groove to the dielectric layer, and at least one a photoresist material; applying HMDS on the intermediate structure; photoresist material and using plasma method to remove the intermediate structure in. The invention also provides a semiconductor structure, a semiconductor device obtained by the above method, and an electronic device comprising such a semiconductor device. The method for manufacturing the semiconductor interconnection structure of the invention can reduce and repair the damage caused by the ultra low k dielectric layer in the traditional process, and obtain the interconnection structure with better performance.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体互连制造工艺，尤其涉及能够减小对低k金属间介电层的破坏 的制作互连结构的方法。
技术介绍
半导体集成电路技术的飞速发展不断对互连技术提出新的要求。随着半导体器件 尺寸的不断收缩，互连结构变得越来越窄，从而导致互连电阻越来越高。铜借助其优异的导 电性，现已成为集成电路
中互连集成技术的解决方案之一，铜互连技术已广泛应 用于90nm及65nm技术节点的工艺中。在铜互连工艺中，由于金属连线之间的空间逐渐缩小，因此用于隔离金属连线之 间的中间绝缘层(IMD)也变得越来越薄，这样会导致金属连线之间可能会发生不利的相互 作用或串扰。现已发现，降低用于隔离金属连线层的中间绝缘层的介电常数(k)，可以有效 地降低这种串扰。降低IMD材料的k值所带来的另一个好处是是可以有效降低互连的电阻 电容(RC)延迟。因此，在90nm、65nm甚至45nm设计规则的应用中，超低k(k<2.45)材料 现在已越来越广泛地应用于Cu互连工艺中作为隔离金属铜的中间绝缘层。超低k材料的使用对于半导体制造工艺提出了新的要求。在干法去除半导体结构 中的光阻(Photo r...
【技术保护点】
１．一种制作半导体互连结构的方法，包括如下步骤：获得用于半导体互连结构的中间结构，所述中间结构至少包括由低ｋ材料和／或超低ｋ材料构成的介电层，蚀刻至所述介电层中的沟槽，以及至少一种光阻材料；对所述中间结构施加ＨＭＤＳ处理；以及利用等离子体方法去除所述中间结构中的光阻材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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