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本发明公开了一种制作半导体互连结构的方法，包括如下步骤：获得用于半导体互连结构的中间结构，所述中间结构至少包括由低ｋ材料和／或超低ｋ材料构成的介电层，蚀刻至所述介电层中的沟槽，以及至少一种光阻材料；对所述中间结构施加ＨＭＤＳ处理；以及利用等...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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