半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可以防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。在玻璃环氧树脂基板(1)的表面及背面分别形成有构成电路图案的布线层(7)，并在以露出布线层(7)的一部分的方式形成覆盖布线层(7)的阻焊膜(8)之后，在为了脱湿而进行的100℃以上150℃以下的热处理(第一热处理)之前，对布线基板(1A)进行160℃以上230℃以下的热处理(第二热处理)，以使构成布线基板(1A)的材料中所具有的有机溶剂气化后排出。

Method for manufacturing semiconductor device

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor device. A technique for preventing deterioration of the reliability of a semiconductor device caused by partial vaporization of a material component constituting a wiring substrate is provided. In the glass epoxy resin substrate (1) of the surface and back are respectively formed with a wiring layer circuit pattern (7), and to expose the wiring layer (7) formed a part of the way of covering the wiring layer (7) of the solder mask (8) after heat treatment at 150 DEG C and above in order to dehydration of 100 DEG C (first heat treatment) before the wiring board (1A) of 160 DEG to 230 DEG C heat treatment (second heat treatment), so that a wiring substrate (1A) organic solvent gasification with material after discharge.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种包括在布线基板表面上装载半导体芯片的工序的的有效技术。
技术介绍
例如，日本特开平10-41337号公报(专利文献1)中公开了以下安装基板的制造方法，即，事先在高温干燥环境下对玻璃环氧树脂基板进行预烧，并在用耐湿性树脂进行涂层之后，再在玻璃环氧树脂的切割面、孔壁等处也用耐湿性树脂进行涂层。在上述预烧中， 通过例如将玻璃环氧树脂基板放置在180°C的干燥氮气环境下1个小时，以除去玻璃环氧树脂基板内部的水分。专利文献1 日本特开平10-41337号公报
技术实现思路
对球栅阵列(BGA=Ball Grid Array)或焊盘栅阵列(LGA =LandGrid Array)而言， 在制造工序中，会产生因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的质量恶化、生产力下降等问题。可以说明质量恶化现象例如有以下三种(1)在将芯片接合薄膜贴到布线基板的表面上时，从布线基板产生的气体会变为气泡侵入并残留在芯片接合薄膜的内部。之后，水分滞留在所述气泡内，例如如果在用焊锡将半导体器件安装在安装基板上时，对芯片接合薄膜施加260°C左右的热，就会发生水蒸气爆炸。( 如果半导体芯片的表面被布线基板产生的气体污染，则在线焊工序中，焊线将不能与排列在半导体芯片表面上的电极垫连接而脱落。( 如果半导体芯片的表面被布线基板产生的气体污染，则在注塑工序中，半导体芯片和封装半导体芯片的树脂封装体间的附着性会下降。可以说明生产力下降的现象例如有因粘片机、焊线机被污染而使这些设备的清扫频度增多等。针对所列出的质量恶化现象O)，在线焊工序之前追加等离子体清洗工序；针对上述质量恶化现象(3)，在注塑工序之前追加等离子体清洗工序，通过采取如前所述的措施，能够将污染成分除去。但是，需要追加两道等离子体清洗工序，这将导致半导体器件的生产力下降。本专利技术的目的在于提供一种能够防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。本专利技术的所述内容及所述内容以外的目的和新特征在本说明书的描述及附图说明中写明。下面简要说明关于本专利申请书中所公开的专利技术中具有代表性的实施方式的概要。本实施方式是一种，包括以下工序。准备玻璃环氧树脂基板、布线层以及布线基板的工序，其中，所述布线层分别形成于玻璃环氧树脂的表面及背面并构成电路图案，所述布线基板以露出布线层的一部分的方式覆盖布线层的阻焊膜；经由薄膜状粘结层将半导体芯片贴在布线基板上表面一侧的工序；通过导电性构件将电极垫和焊接引线电连接的工序，其中，所述电极垫设置在半导体芯片的表面，所述焊接引线由布线层的一部分构成，并从阻焊膜上形成的开口部露出；以及形成树脂封装体的工序，其中，所述树脂封装体对半导体芯片、导电性构件以及薄膜状粘结层进行封装。对于所准备的布线基板，在形成阻焊膜之后，并在为脱湿而进行的100°C以上150°C以下的热处理之前，进行 160°C以上230°C以下的热处理，以使构成布线基板的材料中所具有的有机溶剂气化后排出ο下面简要说明关于本专利申请书所公开的专利技术中根据具有代表性的实施方式所得到的效果。能够防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化。附图说明图1所示的是说明本专利技术的一实施方式所涉及的的工序图。图2所示的是说明本专利技术的一实施方式所涉及的的半导体器件主要部分剖面图。图3所示的是接着图2的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图4所示的是接着图3的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图5所示的是接着图4的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图6所示的是接着图5的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图7所示的是接着图6的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图8所示的是接着图7的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图9所示的是接着图8的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图10所示的是接着图9的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图11所示的是接着图10的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图12所示的是接着图11的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图13所示的是接着图12的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图14所示的是接着图13的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图15所示的是接着图14的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图16所示的是接着图15的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图17所示的是接着图16的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图18所示的是接着图17的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分立体图。图19所示的是接着图18的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分立体图。符号说明1玻璃环氧树脂基板(基材)IA布线基板2铜箔3通孔4种子层5铜膜6抗蚀膜7布线层7a焊接引线(电极垫)7b凸起焊盘(电极垫)8阻焊膜9镀膜10粘结层(粘片材料)11半导体芯片12电极垫13导电性构件14树脂封装体(封装体)15锡球16切割刀17切割线20半导体器件具体实施例方式在以下实施方式中，为了方便，在必要时将几个部分或将实施方式分割以说明，除了需要特别说明的以外，这些都不是彼此独立且无关系的，而是与其它一部分或者全部的变形例、详细内容及补充说明等相互关联的。另外，在以下实施方式中提及要素数等(包括个数、数值、量、范围等)时，除了特别说明及原理上经明确限定了特定的数量等除外，所述的特定数并非指固定的数量，而是可大于等于所述特定数或可小于等于所述特定数。而且，在以下实施方式中，除了特别说明及原理上经明确了是必要时除外，所述的构成要素(包括要素步骤等)也并非是必须的要素。同样地，在以下实施方式中提及的构成要素等的形状、位置关系等时，除了特别说明时及原理上经明确了并非如此时，实质上包括与前述形状等相近或者类似的。同理，前述的数值及范围也同样包括与其相近的。为了说明实施方式的所有图中，原则上对具有同一功能的构件采用同一符号，省略掉重复的说明。以下根据附图详细说明本专利技术的实施方式。通过图1 图19按工序顺序对本实施方式所涉及的进行说明。图1所示的是说明本实施方式所涉及的的工序图，图2 图 17所示的是说明本实施方式所涉及的的半导体器件主要部分剖面图；图18及图19所示的是说明本实施方式所涉及的的半导体器件主要部分立体图。通过图2 图12说明布线基板的制造工序。首先，如图2所示，准备玻璃环氧树脂基板(基材)1。玻璃环氧树脂基板1是将细玻璃纤维编织成片状，再用含有有机溶剂的环氧树脂将其层叠多层而制成的板状绝缘体。 接着，将铜箔2分别压接在玻璃环氧树脂基板1的表面及背面上(图1所示的工序Pl)。铜箔2的厚度例如在12 μ m左右。接着，如图3所示，利用例如钻孔加工形成多个从玻璃环氧树脂基板1的表面贯通到背面的通孔3 (图1所示的工序P2)。接着，如图4所示，在分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的铜箔2上以及通孔3的内壁上形成铜种子层4。之后，如图5所示，利用电镀法，在分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的铜箔2以及通孔3的内壁上形成铜膜5 (图本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：工序ａ，准备布线基板，所述布线基板具有树脂基材、分别形成于所述基材的表面和背面并构成电路图案的布线层、以及露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的绝缘膜；工序ｂ，经由薄膜状粘结层将半导体芯片贴在所述布线基板的第一面一侧上；工序ｃ，通过导电性构件将多个电极垫和多条焊接引线电连接，所述多个电极垫配置在所述半导体芯片的表面上，所述多条焊接引线由所述布线层的一部分构成并从形成在所述绝缘膜上的开口部露出；以及工序ｄ，形成树脂封装体，所述树脂封装体对所述半导体芯片、所述导电性构件以及所述薄膜状粘结层进行封装，其中，对所述工序ａ中的所述布线基板预先实施了以下工序：在形成露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的所述绝缘膜之后，在１００℃以上１５０℃以下的温度下进行第一处理时间的第一热处理的工序；和在所述第一热处理之前进行第二热处理的工序，该工序在比所述第一热处理的温度高的温度下进行比所述第一处理时间短的第二处理时间的第二热处理。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑田壮司，安永雅敏，松岛弘伦，广永兼也，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP