激光直写技术制备多级结构微阵列的方法技术

一种激光直写技术制备多级结构微阵列的方法，属于激光微加工领域。阵列制备过程中，平面几何结构由输入计算机的平面图形决定，分辨率取决于光路中的缩微镜头倍数和纳米电机的精度，可达到0.3μm；基于实验得出的曝光深度与曝光时间的关系，显影深度与显影时间的关系，通过曝光时间和显影时间的调控来控制加工尺寸的深度。本发明专利技术无需掩膜，也无需光刻制模，大大降低了阵列的制备成本，本发明专利技术具有制备多级结构的可行性，且效率高，适合于工业化生产普及。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于激光微加工领域。
技术介绍
壁虎优异的攀爬能力正是依赖于它脚掌的数百万根微米级刚毛和纳米级绒毛阵列与 接触表面接触产生的范德华力。借助于壁虎脚的灵感仿壁虎机器人能够在3维空间无障碍 的运动，在航天、反恐及日常生活领域有着广阔的应用空间。因此制备仿壁虎刚毛微纳阵列有重要意义。目前，与光刻法相关的制备微纳二级结构阵列的方法有厚胶直接光刻(附图1)(J. Micromech. Microeng. 17 (2007) R81 - R95)及光刻制模(聚氨酯材料浇注固化)(附图 2) (Christian Greiner, Eduard Arzt. Adv. Mater. 2009, 21, 479 - 482),力夕去。 歹ij 如厚胶直接光刻，其步骤为(1)旋转涂胶，烘干。( 一次掩膜光刻。( 二次旋转涂胶。二次掩膜光刻。( 显影，烘干。其中掩膜板的制备具有高昂的成本，尤其是掩模版的 价格随着特征的减小而急剧地增加，而且掩膜板一经制备则尺寸固定，无法做到自由选取 尺寸。对于光刻制模法，也用到掩膜，同时随着几何尺寸的减小，阴极模板的制备有很大困 难，大长细比的微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光直写技术制备多级结构微阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤１、在光滑表面上涂布负性光刻胶，完全曝光作为软基底；步骤２、在软基底上按照结构总高度要求涂布负性光刻胶；步骤３、按照第Ｎ级结构平面图形，利用激光直写装置对上述负性光刻胶进行第Ｎ级结构的曝光，并显影，则获得第Ｎ级结构；步骤４、按照第Ｎ－１级结构平面图形，利用激光直写装置对上述负性光刻胶进行第Ｎ－１级结构的曝光，并显影，则获得带有第Ｎ－１级结构的第Ｎ级结构；步骤５、上述第Ｎ级结构指上层尺寸较小的结构，第Ｎ－１级结构指第Ｎ级结构的下层结构；步骤６、上述激光直写制备的曝光强度为４０ｍＷ，曝光深度与曝光时间为线性关系，其比例关系为Ｈ↓...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于敏，浦东林，耿路峰，陈林森，戴振东，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，苏州大学，
类型：发明
国别省市：84